HFN30N03深圳恒锐丰科技+N+30V+MOS+PDFN3×3.pdf

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HFN30N03

N-Ch30VFastSwitchingMOSFETS

Description

TheHFN30N03isthehighcelldensitytrenchedN-chMOSFETs,whichprovideexcellent

RDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.

TheHFN30N03meettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwithfull

functionreliabilityapproved.

Features

100%EASGuaranteedExcellentCdV/dteffectdecline

GreenDeviceAvailableAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

ProductSummary

BVDSSRDSONID

30V10mΩ30A

PRPAK3X3PinConfiguration

第页共页深圳市黑锋科技有限公司

HFN30N03

N-Ch30VFastSwitchingMOSFETS

ElectricalCharacteristics

TJ25°C,unlessotherwisenoted

SymbolParameterConditionsMin.Typ.Max.Unit

BVDSSDrain-SourceBreakdownVoltageV0V,I250uA30V

GSD

Referenceto25℃,

△BVDSS/△TJBVDSSTemperatureCoefficient0.034V/℃

I1mA

V10V,I7A1012

GSD

RDS

专注MOS

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