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HFD30N02
N-Ch20VFastSwitchingMOSFETS
Description
TheHFD30N02isthehighcelldensitytrenchedN-chMOSFETs,whichprovideexcellent
RDSONandgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.
TheHFD30N02meettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwith
fullfunctionreliabilityapproved.
Features
100%EASGuaranteedExcellentAdv/ateffectdecline
GreenDeviceAvailableAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology
SuperLowGateCharge
ProductSummary
BVDSSRDSONID
20V12mΩ30A
TO-252PinConfiguration
16
第页共页深圳市黑锋科技有限公司
HFD30N02
N-Ch20VFastSwitchingMOSFETS
ElectricalCharacteristics
TJ25°C,unlessotherwisenoted
ParameterSymbolTestConditionMin.Typ.Max.Unit
StaticCharacteristics
Drain-SourceBreakdownVoltageBVDSSVGS0V,ID250µA20--V
VGS±12V,VDS0
GateLeakageCurrentIGSS--±100nA
V
DrainCut-offCurrentIDSSVDS20V,VGS0V--1µA
VGSVDS,
GateThresholdVoltageVGS(t
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