AGM40N50P VER2.6深圳恒锐丰科技.pdf

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AGM40N50P

●GeneralDescription

ProductSma

TheAGM40N50Pcombinesadvancedtrenchumry

MOSFETtechnologywithalowresistancepackage

toprovideextremelylowRDS(ON).

ThisdeviceisidealswitchandbatteryBVRDONID

forloadDSSS

protectionapplications.

●Features500V85mΩ46A

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

TO-3PPinConfiguration

■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■100%Avalanchetested

■100%DVDStested

●Application

■ElectronicBallast

■ElectronicTransformer

■SwitchModePowerSupply

PackaMa

gerkingd

andrerin

OgInfort

maion

Quanit

DeviceMakingDeviceDeviRety

rcePaageelSTa

ckizepewidth

AGM40NAGM40NPTO-3P--

50P50450

Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA=25)

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