ZnO基宽禁带稀磁半导体材料的制备及性能研究的开题报告.pdfVIP

ZnO基宽禁带稀磁半导体材料的制备及性能研究的

开题报告

一、研究背景和意义

宽禁带稀磁半导体材料因其特殊的磁性和半导体特性在磁电子学、

自旋电子学等领域有非常重要的应用，如用于磁存储、自旋电子器件、

磁光器件等。其中，ZnO基宽禁带稀磁半导体具有较好的生物相容性和

光电性质，因此受到广泛关注。

目前，对ZnO基宽禁带稀磁半导体材料的研究主要集中于制备方法

和性质研究。ZnO基宽禁带稀磁半导体材料的制备方法包括化学气相沉

积、物理气相沉积、溶胶-凝胶法等。同时，也需要对ZnO基宽禁带稀磁

半导体材料的结构、磁性等性质进行研究，以便更好地解释其在应用中

的表现。

因此，本研究将致力于制备ZnO基宽禁带稀磁半导体材料，并对其

结构、磁性等性质进行表征和研究，为该材料在磁电子学、自旋电子学

等领域的应用提供支持和指导。

二、研究内容

1.制备ZnO基宽禁带稀磁半导体材料。采用溶胶-凝胶法，通过不

同的制备方法制备不同掺杂浓度的ZnO基宽禁带稀磁半导体材料。

2.对制备的材料进行表征。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜等

手段对材料的结构、形貌等进行表征，以确定材料的晶体结构、掺杂浓

度。

3.研究材料的光学性质。采用紫外-可见分光光度计对材料的吸收光

谱进行研究，以分析其光学性质和带隙结构。

4.研究材料的磁性。采用超导量子干涉仪、霍尔效应仪等对材料的

磁性进行研究，以探究材料的磁性来源和机理。

三、研究方法

本研究主要采用溶胶-凝胶法制备ZnO基宽禁带稀磁半导体材料，并

采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、超导量子

干涉仪、霍尔效应仪等对材料进行表征和研究。

四、预期结果

通过本研究，预期可以制备出掺杂浓度不同的ZnO基宽禁带稀磁半

导体材料，并对其结构、形貌、光学性质和磁性进行表征和研究，为该

材料在磁电子学、自旋电子学等领域的应用提供支持和指导。