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ZnO单晶薄膜的极性控制生长及p型掺杂研究的开

题报告

开题报告

1.研究背景与意义

氧化锌（ZnO）是一种重要的半导体材料，在许多领域中有广泛的

应用，例如光电器件、传感器、紫外线激光器等。尽管ZnO材料有许多

优点，例如宽带隙、高可见光透过率和天然极性，但在制备高质量ZnO

薄膜和控制其极性方面仍然存在困难。因此，ZnO薄膜的极性控制生长

及p型掺杂研究成为当前研究的热点之一。

2.研究内容与目标

本研究的核心内容是探讨如何通过不同的生长条件（如温度、压力

和气氛等）对ZnO单晶薄膜进行极性控制生长的方法。我们将采用分子

束外延（MBE）技术来生长ZnO薄膜，并使用X射线衍射（XRD）和扫

描电子显微镜（SEM）等表征手段对所生长薄膜的结构和形貌进行分析。

同时，我们还将尝试使用铜（Cu）和氮（N）等元素来控制ZnO薄膜的

p型掺杂效果，并通过光电特性测试等实验来研究其电学性能。

本研究的目标是开发出一种能够综合控制ZnO薄膜极性生长和p型

掺杂的方法，并为制备高性能ZnO光电器件提供理论基础和技术支持。

3.研究方法与步骤

(1)制备ZnO单晶衬底并进行表面化学预处理。

(2)采用MBE技术在衬底上生长ZnO薄膜。

(3)使用XRD和SEM等表征手段对所生长薄膜的结构和形貌进行分

析。

(4)利用光电特性测试等实验手段研究ZnO薄膜的电学性能及其掺

杂效果。

(5)针对不同的生长条件和掺杂类型，优化薄膜生长参数，探索极性

控制生长和p型掺杂的最佳方法。

4.研究进度安排

(1)第一年：完成ZnO单晶薄膜的生长和表征，初步探究p型掺杂

方法。

(2)第二年：深入研究生长条件对ZnO单晶薄膜极性的影响，进一

步探索p型掺杂的可行性和性能。

(3)第三年：针对实验结果，开展更多的优化控制方法的实验研究，

获得更加理想的ZnO单晶薄膜材料。

5.预期结果及意义

本研究预计能够开发出一种综合控制ZnO薄膜极性和p型掺杂的技

术，并为实现高性能ZnO光电器件的制备提供技术支持。此外，我们预

计通过本研究，可以深入了解ZnO薄膜的晶体结构、电学性质，为后续

研究提供更为深入的研究基础。