ZnO基半导体异质结及MgNiO固溶体薄膜的制备与性能研究的开题报告.pdfVIP

NiO/ZnO基半导体异质结及MgNiO固溶体薄膜的制

备与性能研究的开题报告

一、研究背景和意义：

在半导体器件的制造领域中，异质结被广泛应用。NiO/ZnO基半导

体异质结因其优异的光电转换性能而备受瞩目，特别是在染料敏化太阳

能电池领域中具备了广阔的应用前景。然而，NiO/ZnO异质结材料的制

备、晶体结构和光学、电学性质等方面的研究尚不够深入，需要进行进

一步的研究和探究。

此外，MgNiO固溶体薄膜因其极高的透明度和稳定性，在显示器件、

光电器件等领域具有很强的应用潜力。然而，当前对于MgNiO的研究还

停留在理论探讨阶段，对其制备方法和性质的研究有待加强。

因此，本课题旨在探究NiO/ZnO基半导体异质结材料的制备方法、

晶体结构及光学、电学性质，并进一步研究MgNiO固溶体薄膜的制备方

法和性质，以期为其在半导体器件领域的应用提供基础研究支持。

二、研究内容和技术路线：

1.NiO/ZnO基半导体异质结材料的制备方法探究，包括溶液法、气

相法等；

2.制备好的NiO/ZnO异质结材料进行X射线衍射、透射电镜等技术

的分析表征，从晶体结构和形貌上对其进行研究；

3.通过紫外-可见吸收光谱和荧光光谱分析，探究NiO/ZnO异质结

材料的光学性质，包括带隙能和电子寿命等；

4.测量NiO/ZnO异质结材料的电学性能，包括电阻率、导电性质等；

5.执行MgNiO固溶体薄膜的制备，探究制备方法，包括热蒸发法等；

6.对制备好的MgNiO固溶体薄膜进行分析表征，包括XRD、TEM、

SEM等；

7.分析MgNiO固溶体薄膜的光学、电学性质，包括透明性、电导性

等；

8.对以上实验数据进行分析和总结，撰写实验报告。

三、预期成果和意义：

通过以上一系列的实验研究，预计可以获得以下成果和意义：

1.理解和掌握NiO/ZnO异质结材料制备方法和性质，为其在太阳能

电池、半导体器件等领域的应用提供实验支持；

2.探究MgNiO固溶体薄膜的制备方法及性质，并为其在光电器件等

领域的应用提供基础研究支持；

3.通过对材料的分析表征，研究其晶体结构、光学、电学等性质，

提高它们的应用价值，为相关领域的发展提供技术创新支持。