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ZnO单晶的N型掺杂研究的开题报告

题目：ZnO单晶的N型掺杂研究

背景介绍：

ZnO是一种重要的半导体材料，具有优异的电学性质和光学性质。

它在磁性材料、光电器件、传感器等领域具有广泛的应用前景。其中，

掺杂技术是制备高性能ZnO器件的关键技术之一。在掺杂中，N型掺杂

被认为是提高ZnO导电性的重要方法之一。

研究内容：

本研究将着重探讨N型掺杂对ZnO单晶材料电学性质的影响。具体

包括以下方面：

1.采用化学气相沉积（CVD）法制备N型掺杂的ZnO单晶材料；

2.通过锥形压阻实验、霍尔效应实验等研究N型掺杂ZnO单晶的电

学性质；

3.分析不同掺杂浓度、不同温度条件下N型掺杂对ZnO单晶电学性

质的影响。

预期成果：

本研究期望得到：

1.N型掺杂ZnO单晶材料的成功制备和表征；

2.系统性的研究N型掺杂对ZnO单晶电学性质的影响；

3.对优化材料性能及相关应用提供重要的数据和信息。

研究意义：

本研究将深入研究N型掺杂ZnO单晶电学性质的影响，为优化材料

性能及相关应用提供重要的数据和信息，同时也有助于提高对N型掺杂

技术的理解和掌握。

参考文献：

1.LeeM.H.,KimD.W.,YangS.J.,etal.Improvedelectrical

performancesofN-dopedZnOfilmsusingmanganeseasthedopant

source[J].Physicastatussolidi(a),2011,218(2):425-429.

2.ZhouX.,LiY.,XuX.,etal.GrowthandcharacterizationofN-

dopedZnOnanowirearraysforoptoelectronicapplications[J].

Crystengcomm,2011,13(1):214-219.

3.熊林,邓松波.依托同步辐射光源的ZnO单晶表面结构及导电性研

究[D].中国科学院大学,2015.