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硅的基础知识和太阳能单晶拉制基础知识及操作

余新明

硅的基础知识

硅在元素周期表中的序号是14，相对原子量为28，密度2.32-2.34克/厘米。常温下是固体，

熔点是1410~1414度，沸点则要2355度。

硅是IV族元素，外层有四个电子，所以，外层有五个电子的V族元素就被称为施主

元素，因为多余的那个好象是做善事一样可以共大家使用，产生导电性。而外层只有三个电

子的III族元素，则被成为受主元素，因为外面少一个电子，好象有一个空穴一样，所以周

围的硅原子所带有的外层的电子老是要来填满它，这样，那个空穴就好象也会到处跑，像个

正电子一样，电子和空穴就被统称为载流子。

最常被用来作为施主杂质的元素是磷，主要原因是它无毒而且比较容易得到，进行掺

杂也比较容易。最常被用来作为受主杂质的元素是硼，主要原因也和磷一样，但它比磷还有

一个更加明显的优点，就是，它在硅中的分凝系数很接近于1。这是什么意思呢？

掺杂时，要将硅和杂质一起熔化，然后拉单晶。而单晶是从上到下逐渐生长的，所有

的杂质元素在硅晶体的生长时，在硅的晶体和液体的界面上（固液界面），在固体和液体中的

浓度是不同的，其在固体中的浓度与在液体中的浓度之比，就称为分凝系数。分凝系数越接

近与1，则在固体和液体中的比例一样，这样所拉出的单晶的杂质浓度就越均匀。而分凝系

数越接近于零，则在固体和液体的比例差别越大，这样，先拉出来的单晶的头部，杂质就会

很少，而到单晶的底部，杂质浓度就会很大。

硼在固液界面静止情况下的分凝系数为0.8，在固液界面运动的时候，会超过0.9，所

以，拉制的单晶里，从头到尾，所掺杂的硼的浓度很均匀。而磷的分凝系数为0.36，在实际

拉晶时，分凝系数可以超过0.5，虽然小了些，但在V族元素里，已经是分凝系数最大的元

素了

硅单晶的主要技术参数硅单晶主要技术参数有导电类型、电阻率与均匀度、非平衡载

流子寿命、晶向与晶向偏离度、晶体缺陷等。

导电类型导电类型由掺入的施主或受主杂质决定。P型单晶多掺硼，N型单晶多掺磷,

外延片衬底用N型单晶掺锑或砷。

电阻率与均匀度拉制单晶时掺入一定杂质以控制单晶的电阻率。由于杂质分布不匀，

电阻率也不均匀。电阻率均匀性包括纵向电阻率均匀度、断面电阻率均匀度和微区电阻率均

匀度。它直接影响器件参数的一致性和成品率。

非平衡载流子寿命光照或电注入产生的附加电子和空穴瞬即复合而消失，它们平均存

在的时间称为非平衡载流子的寿命。非平衡载流子寿命同器件放大倍数、反向电流和开关特

性等均有关系。寿命值又间接地反映硅单晶的纯度，存在重金属杂质会使寿命值大大降低。

晶向与晶向偏离度常用的单晶晶向多为(111)和(100)。晶体的轴与晶体方向不吻合

时，其偏离的角度称为晶向偏离度。

晶体缺陷生产电子器件用的硅单晶除对位错密度有一定限制外，不允许有小角度晶界、

位错排、星形结构等缺陷存在。位错密度低于200/厘米2者称为无位错单晶，无位错硅单晶

占产量的大多数。在无位错硅单晶中还存在杂质原子、空位团、自间隙原子团、氧碳或其他

杂质的沉淀物等微缺陷。微缺陷集合成圈状或螺旋状者称为旋涡缺陷。热加工过程中，硅单

晶微缺陷间的相互作用及变化直接影响集成电路的成败。

太阳能单晶拉制基础知识及操作

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单晶的生长方法有很多种，但在生产上应用的只有两种，即悬浮区