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试验3
存储器试验
预习试验汇报
疑问:
存储器是干嘛的?
存储器的读写功能怎样实現?
存储器中的字和位分别表达的是什么?
在定制存储器的時候,怎样对它里面的存储单元赋初始值?
怎样实現连读?
存储器的代码实現书上有,但假如用原理图来做,各个部分用什么芯片来实現?
下载到试验箱時怎样分派输入以减少开关数?
在用地址计数器产生地址中的置数的措施产生地址是怎样操作的?
试验汇报
波形图:
参数设置:
Endtime:2.0usGridsize:100.0ns
信号设置:
clk_cdu:時钟信号,设置周期為100ns占空比為50%。
sw|pc_bus:总线(sw_bus)和地址计数器PC(pc_bus)输出数据控制信号,输入,低电平有效,二进制。
m|w|r:芯片的片选(m)、读(w)、写(r)操作的控制信号,输入,高电平有效,二进制。
ldar:地址寄存器AR的装载数据控制信号,输入,高电平有效,二进制。
pc_clr|ld|en:地址计数器PC的清零(pc_clr)、装载(pc_ld)和计数使能信号(pc_en),输入,低电平有效,二进制。
k:k[7]~k[0],数据输入端信号,输入,十六进制。
d:d[7]~d[0],数据输出中间信号,双向信号,十六进制。
d~result:d[7]result~d[0]result,最终的数据输出信号,输出,八进制。
ar:ar[7]~ar[0],地址寄存器AR的输出成果,输出,十六进制。
pcout:pcout[7]~pcout[0],地址计数器PC的输出成果,输出,十六进制。
仿真波形
以在01H单元中写入EEH的数据并读出為例:
初始状态:K=00H,选择芯片(m=1),PC保持目前的值(pc_clr=1),其他信号无效;
置数法产生地址:K=01H→总线(sw_bus=0)→PC(pc_clr=1、pc_ld=0、pc_en=1),可以看到此時总线上的数据為01H;
PC保持:pcen=0,总线上及pc的值停在01H;
PC→AR:PC(sw=1,pc_bus=0)→AR=01H(ldar=1),总线上显示01H;
读取::?(sw|pc_bus=11,m=1、r=1)→AR=E1H,D2H,总线上显示E1H,D2H;
EEH?总线:写入到地址為01H的单元中(m=1、w=1、r=0),之后并将其内容读取出来(m=1、w=0、r=1)。
计数法产生地址:PC+1(pc_bus=0、pc_clr=1、pc_ld=1、pc_en=1、w=0、r=0)、PC=02H→AR(ldar=1)、同步总线上显示PC的值。
读取地址為AR=02H所存的数值?(m=1、r=1),总线上出現了短暂的EEH及C5H。
PC清零:pc_clr=0
连读00H,01H、02H、03H、04H、里面寄存的数据(pc_bus=1、pc_clr=1、pc_ld=1、pc_en=1、m=1、r=1、ldar=1),总线上显示E1,EE,F3,C5,00。
結论:
本试验的设计能存储器的存储数据以及读和写的操作的功能,同步持续读出存入地址单元中寄存的数据,电路设计对的。
二、试验曰志
预习疑问解答:
存储器是干嘛的?
存储器的重要功能是寄存计算机正在执行或将要执行的程序以及数据等信息。它进行读操作時片选信号有效,读控制有效;进行写操作時片选信号有效,写控制有效,同步输入数据。
存储器的读写功能怎样实現?
假如用代码实現
process(clk,we,din)
begin
if(rising_edge(clk))then
if(we=’1’
RAM(Addr)=din;--------写操作
Endif;
Addr_Reg=Addr;
endif;
endprocess;
dout=RAM(Addr_Reg);--------读操作
试验中是用lpm定制的,原理是同样的。
存储器中的字和位分别表达的是什么?
字表达地址的長度,假如字長為M,则地址寄存器的位数应当為log2M,位表达数据的字長,假如
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