可编辑文档：3D DRAM行业市场前景及投资研究报告：3D DRAM时代，国产DRAM变革契机.pptx

证券研究报告行业专题报告3DDRAM时代或将到来，国产DRAM有望迎来变革契机3DDRAM行业专题报告投资评级：推荐（维持）报告日期：2024年08月08日

投资要点DRAM技术工艺逐渐步入瓶颈期，3DDRAM应运而生随着摩尔定律推进速度放缓，DRAM技术工艺也逐渐步入瓶颈期。目前DRAM芯片工艺已到10nm级别，尽管10nm还不是DRAM的最后极限，但多年来随着DRAM制程节点不断缩小，工艺完整性、成本、电容器漏电和干扰等方面的挑战愈发明显，要在更小的空间内实现稳定的电荷存储和读写操作变得日益困难。3DNANDFlash早已实现商业化应用，3DDRAM技术尚在研发中，但随着AI浪潮，大容量、高性能存储器需求将大幅增加，3DDRAM有望成为存储器市场的主流产品。存储巨头纷纷布局3DDRAM技术，产业生态或迎变局2024年3月，三星在加州举行的Memcon2024会议上公布了其3DDRAM开发路线图，并计划在2025年推出基于其垂直通道晶体管技术的早期版本的3DDRAM。海力士在VLSI2024会议上公布了其五层堆叠的3DDRAM产品，生产良率已达56.1%。美光则在2019年就开始了3DDRAM的研究工作。存储巨头纷纷布局3DDRAM技术，产业生态或迎变局。3DDRAM正处产业化前期，成长空间极大，给予3DDRAM行业投资评级：推荐3DDRAM完美契合AI应用对高性能和大容量存储器的需求增长，行业主要厂商正在逐渐加大对3DDRAM技术的开发投入，并且通过专利保护的方式为未来的市场竞争和技术主导权做准备。3DDRAM正处产业化前期，成长空间极大，给予行业“推荐”评级，建议关注产业链相关标的：中微公司、拓荆科技、中科飞测、精智达、华海清科等。诚信、专业、稳健、高效PAGE2

重点关注公司及盈利预测EPSPE2024-08-07公司代码名称投资评级股价20232.882024E2025E4.0820232024E2025E37SH688072.SH688120.SH688361.SH688627.SH中微公司拓荆科技华海清科中科飞测精智达152.55132.41138.4354.573.232.964.250.631.8052.9747.2344.7832.5386.6224.20买入未评级未评级买入3.524.550.441.244.105.570.942.4965.6941.22124.0235.1332.2924.8558.0517.4943.56增持资料：Wind，华鑫证券研究（注：未评级公司盈利预测取自wind一致预期）诚信、专业、稳健、高效PAGE3

风险提示宏观经济增长不及预期的风险；海外科技进一步加强的风险；本土科技创新突破不及预期的风险；下游需求恢复不及预期的风险；行业景气度复苏不及预期的风险；推荐标的业绩不及预期的风险。诚信、专业、稳健、高效PAGE4

1.DRAM技术工艺逐渐步入瓶颈期，HBM助力DRAM赶上AI浪潮2.3DDRAM应运而生，有望改变DRAM行业生态目录CONTENTS3.全球存储巨头纷纷布局3DDRAM技术4.相关标的诚信、专业、稳健、高效PAGE5

DRAM技术工艺逐渐步入瓶颈期，HBM助力DRAM追赶AI浪潮01

1.1DRAM具备高速数据访问和传输能力DRAM动态随机存取存储器的基本工作原理是在一个存储单元中存储一个比特（0或1）的信息，并通过刷新机制来保持这些信息的稳定性。DRAM中的数据会在断电后很快消失，因此属于易失性存储器，其具有高速、容量大和相对低成本的特点。DRAM的高速数据访问和传输能力，使其能够高效地满足多线程处理、实时计算和大规模数据操作等需要快速数据访问的场景，因此广泛应用于个人计算机、服务器、智能手机、平板电脑等电子设备中，主要用于存储临时数据，如操作系统、应用程序和用户数据。DRAM的基本存储单元由一个晶体管（Transistor）和一个电容器（Capacitor）构成，也被称为1T1C。晶体管作为开关控制是否允许电荷的流入或流出，电容器则用来存储电荷，当电容器充满电后表示1，未充电时则存储0。图表：DRAM的发展历程图表：DRAM的工作原理资料：智研瞻，BranchEducation，华鑫证券研究诚信、专业、稳健、高效PAGE7

1.2DRAM沿用2D方式缩小器件尺寸遇阻随着摩尔定律推进速度放缓，DRAM技术工艺也逐渐步入了瓶颈期。从技术角度上看，随着晶体管尺寸越来越小，芯片上集成的晶体管就越多，这意味着一片芯片能实现更高的内存容量。目前DRAM芯片工艺已经突破到了10nm级别，虽然10nm还