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光伏硅片制备技术

光伏硅片是太阳能电池的核心组件，其制备技术在太阳能产业中

具有至关重要的地位。本文将从硅片的制备工艺、工艺参数控制、设

备选型等方面，详细介绍光伏硅片制备技术的发展现状和未来趋势。

一、硅片制备工艺

硅片制备工艺主要包括多晶硅制备、单晶硅制备和晶圆加工三个

环节。其中，多晶硅制备是光伏硅片制备的关键环节之一。

1、多晶硅制备

多晶硅制备采用的是电解法，具体步骤如下：

（1）原料制备：将硅矿石经过粉碎、筛分等工序，制成粉末状

的硅粉；

（2）精炼：将硅粉与氢气混合后，在高温高压条件下，使其发

生化学反应，生成氯化硅。然后将氯化硅蒸汽输送到电解槽中，经过

电解得到多晶硅；

（3）熔炼：将多晶硅加热至高温状态，使其熔化成为硅锭。

2、单晶硅制备

单晶硅制备采用的是Czochralski法，具体步骤如下：

（1）原料制备：将多晶硅锭经过切割、打磨等工序，制成直径

为200mm的单晶硅棒；

（2）熔炼：将单晶硅棒放入熔融的硅熔体中，使其慢慢旋转并

向上拉出，从而形成单晶硅棒；

（3）切割：将单晶硅棒切成薄片，即为硅片。

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3、晶圆加工

晶圆加工是将硅片加工成为光伏电池的关键环节之一。主要包括

以下几个步骤：

（1）清洗：将硅片放入清洗槽中，用酸碱溶液清洗，去除表面

杂质；

（2）切割：将硅片切割成为合适大小的晶圆；

（3）扩散：将硅片放入扩散炉中，经过高温处理后，将掺杂物

（如磷、硼等）扩散到硅片表面，形成p型和n型硅片；

（4）蒸镀：将硅片放入真空蒸镀机中，加热后，将金属（如铝、

银等）蒸镀到硅片表面，形成电极；

（5）刻蚀：将硅片放入刻蚀槽中，用酸溶液刻蚀硅片表面，形

成电池结构。

二、工艺参数控制

硅片制备过程中，各个环节的工艺参数控制对于硅片质量和产量

的影响非常大。下面以多晶硅制备为例，介绍一些关键参数的控制方

法。

1、氯化硅浓度

氯化硅浓度是电解法制备多晶硅的重要参数之一。在氯化硅浓度

过高的情况下，会导致电流密度过大，从而使多晶硅产生结构缺陷；

而在氯化硅浓度过低的情况下，会导致电流密度过小，从而影响多晶

硅的生长速度。因此，控制氯化硅浓度是保证多晶硅质量的关键之一。

2、电解温度

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电解温度是影响多晶硅生长速度和晶粒大小的重要参数之一。在

电解温度过高的情况下，会使多晶硅生长速度过快，从而影响晶粒的

大小；而在电解温度过低的情况下，会使多晶硅生长速度过慢，从而

影响多晶硅的产量。

3、电流密度

电流密度是影响多晶硅结晶度和晶格缺陷的重要参数之一。在电

流密度过大的情况下，会使多晶硅结晶度下降，从而影响多晶硅的质

量；而在电流密度过小的情况下，会使多晶硅的生长速度过慢，从而

影响多晶硅的产量。

三、设备选型

硅片制备设备是硅片制备过程中的重要组成部分，其选型直接影

响到硅片的制备质量和产量。下面介绍一些常用的硅片制备设备。

1、电解槽

电解槽是电解法制备多晶硅的主要设备之一。其主要功能是将氯

化硅转化为多晶硅。根据不同的生产要求，电解槽的尺寸、形状和材

质等都有所不同。

2、熔炼炉

熔炼炉是单晶硅制备的主要设备之一。其主要功能是将单晶硅棒

加热至高温状态，使其熔化成为硅锭。根据不同的生产要求，熔炼炉

的尺寸、形状和材质等都有所不同。

3、扩散炉

扩散炉是晶圆加工的主要设备之一。其主要功能是将掺杂物扩散

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到硅片表面，形成p型和n型硅片。根据不同的生产要求，扩散炉的

尺寸、形状和材质等都有所不同。

四、未来趋势

随着太阳能产业的不断发展，硅片制备技术也在不断进步。未来，

硅片制备技术将朝着以下几个方向发展：

1、提高硅片的转化效率

目前，太阳能电池的转化效率仍然较低，需要通过改进