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NCE30P25Q
NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
Description
TheNCE30P25Qusesadvancedtrenchtechnologytoprovide
excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor
useasaloadswitchorinPWMapplications.
Schematicdiagram
GeneralFeatures
●V=-30V,I=-25A
DSD
RDS(ON)20mΩ@VGS=-4.5V
RDS(ON)11mΩ@VGS=-10V
●HighPowerandcurrenthandingcapability
●Leadfreeproductisacquired
●Surfacemountpackage
pinassignment
Application
●PWMapplications
●Loadswitch
●Powermanagement
100%∆VdsTESTED!
TopViewBottomView
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
NCE30P25QNCE30P25QDFN3.3X3.3-8LØ330mm12mm5000units
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
A
ParameterSymbolLimitUnit
Drain-SourceVoltageVDS-30V
Gate-SourceVoltageVGS±20V
DrainCurrent-ContinuousID-25A
DrainCurrent-Continuous(T=100℃)I(100℃)-17.7A
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