半导体制造真空腔体零部件表面保护涂层.docx

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T/CASMEXXXX—XXXX半导体制造真空腔体零部件表面保护涂层

1范围

本文件规定了半导体制造真空腔体零部件表面保护涂层的基本要求、技术要求、试验方法、涂层检验和编制文件。

本文件适用于半导体制造真空腔体零部件表面保护涂层（以下简称“涂层”）。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T1479.1金属粉末松装密度的测定第1部分：漏斗法

GB/T1479.2金属粉末松装密度的测定第2部分：斯柯特容量计法

GB/T1479.3金属粉末松装密度的测定第3部分：振动漏斗法

GB/T1482金属粉末流动性的测定标准漏斗法（霍尔流速计）

GB/T3634.2氢气第2部分：纯氢、高纯氢和超纯氢

GB/T4842氩

GB/T4844纯氦、高纯氦和超纯氦

GB/T6462金属和氧化物覆盖层厚度测量显微镜法

GB/T8642热喷涂抗拉结合强度的测定

GB/T8979纯氮、高纯氮和超纯氮

GB/T11373热喷涂金属零部件表面的预处理

GB/T11374热喷涂涂层厚度的无损测量方法

GB/T18719热喷涂术语、分类

3术语和定义

GB/T18719界定的术语和定义适用于本文件。

4基本要求

4.1粉末

4.1.1一般规定

4.1.1.1材料供应商应提供注明生产方法的陶瓷粉末检验证书，按要求提供陶瓷粉末显微结构和金相的测定结果。检验证书应包括以下内容：

a)产品的牌号、批号；

b)检验依据；

c)化学成分；

d)粒度范围和粒度分布；

e)松装密度；

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f)流动性。

4.1.1.2喷涂厂家应对采购的陶瓷粉末进行检验，检验项目应包括粒度范围和粒度分布、松装密度和

流动性。

4.1.2粒度范围及粒度分布

4.1.2.1粒度范围及粒度分布可由各方协商确定，粉末典型粒度范围为：

a)＜30μm；

b)15μm～45μm；

c)15μm～90μm；

d)45μm～90μm。

4.1.2.2粒度范围和粒度分布可采用电子显微镜进行测定；当粒度小于等于45μm时，也可采用激光粒度仪进行测定。

4.1.3松装密度

4.1.3.1松装密度ρ范围为1.5g/cm3≤ρ≤2.3g/cm3。

4.1.3.2松装密度按GB/T1479.1、GB/T1479.2、GB/T1479.3的规定进行测定。

4.1.4流动性

4.1.4.1经热处理及致密化处理的15μm～90μm、45μm～90μm陶瓷粉末流动性应小于等于80

s/50g，15μm～45μm陶瓷粉末流动性应小于等于100s/50g。

4.1.4.2经等离子或电弧球化处理的15μm～90μm、45μm～90μm陶瓷粉末流动性应小于等于50s/50g,15μm～45μm陶瓷粉末流动性应小于等于80s/50g。

4.1.4.3流动性按GB/T1482的规定进行测定。

4.2喷涂工艺

4.2.1表面预处理

待喷涂零件应按GB/T11373的规定进行表面预处理，预处理结束至喷涂开始的时间间隔应小于等

于4h。

4.2.2粉末烘干

喷涂前，喷涂粉末应在100℃~120℃的温度范围内烘干至少1h。粉末堆积厚度应小于等于30

mm。

4.2.3喷涂工艺

应采用等离子喷涂工艺喷涂。

4.2.4喷涂用气体

4.2.4.1氮气应符合GB/T8979的要求，纯度大于99.99％。

4.2.4.2氩气应符合GB/T4842的要求，纯度大于99.99％。

4.2.4.3氢气应符合GB/T3634.2的要求，纯度大于99.99％。

4.2.4.4氦气应符合GB/T4844的要求，纯度大于99.99％。

5技术要求

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5.1外观

5.1.1涂层应覆盖所有设计文件要求的喷涂部位，非喷涂部位区域不应有涂层或漆液飞溅和渗漏。

5.1.2涂层应完整，表面均匀一致，无裂纹、起泡或底材裸露的斑点，未附着金属熔融颗粒以及影响

涂层使用寿命和防腐应用的缺陷。

5.2厚度

涂层厚度应