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模拟试卷一
一、填空(16分)
1.半导体二极管的主要特性是___________。
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2.三极管工作在放大区时,发射结为____偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。
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3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____。
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4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。
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5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ=____、静态时的电源功耗PDC=______。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。
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6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。
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二、选择正确答案填空(24分)
1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0V,-10V,-9.3V,则这只三极管是()。
A.NPN型硅管B.NPN型锗管C.PNP型硅管D.PNP型锗管
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2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为()。
A.P沟道增强型MOS管
B.P沟道结型场效应管
C.N沟道增强型MOS管
D.N沟道耗尽型MOS管
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3.在图示2差分放大电路中,若uI=20mV,则电路的()。
A.差模输入电压为10mV,共模输入电压为10mV。
B.差模输入电压为10mV,共模输入电压为20mV。
C.差模输入电压为20mV,共模输入电压为10mV。
D.差模输入电压为20mV,共模输入电压为20mV。
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4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的()。
A.输入电阻高B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大
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5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应()。
A.减小C,减小RiB.减小C,增大Ri
C.增大C,减小RiD.增大C,增大Ri
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6.如图所示复合管,已知V1的β1=30,V2的β2=50,则复合后的β约为()。
A.1500B.80C.50D.30
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7.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和()。
A.基本共射放大电路B.基本共集放大电路
C.反相比例运算电路D.同相比例运算电路
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8.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是()。
A.积分运算电路B.微分运算电路C.过零比较器D.滞回比较器
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三、两级放大电路如图所示,已知三极管的参数:V1的b1、rbe1,V2的b2、rbe2,电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。
1.分别指出V1、V2的电路组态;
2.画出图示电路简化的H参数微变等效电路;
3.计算中频电压放大倍数Au,输入电阻Ri和输出电阻Ro。(12分)
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四、图示运算放大电路中,已知u1=10mV,u2=30mV,求uO=?(10分)
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六、分析图示两个电路的级间反馈。回答:(12分)
1.它们是正反馈还是负反馈?
2.是直流反馈、交流反馈还是交、直流反馈兼有?
3.它们属于何种组态?
4.各自的电压放大倍数大约是多少?
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模拟试卷二
一、填空:(18分)
1.为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号,放大电路应采用__耦合方式,为了实现阻抗变换,使信号与负载间有较好的配合,放大电路应采用____耦合方式。
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在三极管多级放大电路中,Au1=20、Au2=-10、Au3=1,则总的电压增益=___;Au1是__放大器;Au2是__放大器;Au3是___放大器。
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3.单相桥式整流电路中,若输入电压U2=30V,则输出电压Uo=___V;若负载电阻RL=100Ω,整流二极管ID(AV)=___A。
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4.文氏桥正弦波振荡器用___网络选频,当这种电路产生正弦波振荡时,该选频网络的反馈系数F=___。
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5.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10Hz时,可选用___滤波器;有用信号频率高于10kHz时,可选用___滤波器;希望抑制50Hz的交流电源干扰时,可选用___滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用___滤波器。
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6.甲类放大电路是指放大管的导通角为___;乙类放大电路则其放大管的导通角为___;在甲乙类放大电路中,放大管的导通角为___。
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