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《势垒对GaAs-AlxGa1-xAs量子阱中杂质态结合能的作用及磁场影响》篇一

势垒对GaAs-AlxGa1-xAs量子阱中杂质态结合能的作用及磁场影响一、引言

在半导体物理中，GaAs/AlxGa1-xAs量子阱是一种重要的结构，其独特的电子性质和光学性质使其在微电子和光电子器件中有着广泛的应用。杂质态的结合能是决定这些性质的关键因素之一，而势垒的存在以及外部磁场的影响则对杂质态的结合能产生显著的影响。本文将探讨势垒对GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中杂质态结合能的作用，以及磁场对这种作用的影响。

二、势垒对杂质态结合能的作用

势垒是半导体量子阱中电子和空穴运动的限制因素，其高度和宽度