LDMOS功率管外壳的散热模型与热设计_2011年会.docx

LDMOS功率管外壳三维传热模型与热设计

杨建胡进王子良程凯

（南京电子器件研究所，封装产品部，南京210016）

摘要：以一种350WLDMOS功率管外壳的热分析为例，基于有限元法建立了LDMOS功率管外

壳的三维传热模型，用于预测外壳结温。热分析中建立了较为详细的芯片发热模型，材料参数、

载荷和边界条件的设定尽可能接近实际的热像测试实验条件，仿真与实验结果吻合较好。与热阻

模型相比，用温度场模型来评价和预估外壳散热能力更为准确。

关键词：外壳，LDMOS功率管，传热模型和设计

3DThermalModelingandDesigningofLDMOSPowerTransistor

Packages

JianYang,JinHu,ZiliangWang,KaiCheng

NanjingElectronicsDevicesInstitute

524ZhongshanEastRoad

Nanjing,China210016

Abstract：3Dthermalmodelswerebuilttopredictthejunctiontemperatureofthe

LDMOSPowerTransistorpackages,takingthethermalanalysisofa350WLDMOSPower

Transistorpackageasanexampleinthispaper.Intheanalysis,detailedchip

thermalmodelingwasbuilt,materialsproperties,loadandboundaryconditionswere

settowiththeexperiment.TemperaturefieldModelcanbemoreaccuratethanthermal

resistantmodelinevaluatingandpredictingpackagethermalcapability.

Keywords:Package,LDMOStransistors,ThermalModelingandDesigning

1概述

以传热路径上的功耗就获得热阻。然而，由于热阻定

义是按照一维传热概念给出的集总参数，而器件的实

际散热情况是三维的传热问题，显然使用热阻表征外

器件工作时的结温是影响器件寿命的重要参数，

壳的散热能力时有一定的局限性，尤其是在新产品的一般认为，结温每降低10°C，器件MTTF(Mean

设计阶段，在为新器件选择封装形式时，使用热阻作

TimeToFailure)增大一倍。根据能量守衡和传热学

为外壳散热能力的评估标准，通常仅限于定性分析，

理论，芯片产生的热量将以传导、对流或辐射形式依

难以给出定量的判断。

次传递到各级封装层次，最终到达周围环境。外壳作

首先，对于同一种外壳，如果封装功耗相同但热

为器件散热通道上的一个重要环节，其散热能力的高

源分布不同的两种芯片，所计算出的外壳热阻值会相

低将直接影响到器件的结温。因此，为提高器件的长

差很大，即外壳热阻的大小会与芯片的面积和热源分

期可靠性，必须对外壳进行有效的热设计。

布有关；其次，既然热阻的定义是温差与功耗的比值，

外壳的散热能力通常用热阻来表征。通过红外热

显然热阻的大小与参考温度点的选择有关；另外，芯

像测试实验，可以获得器件工作时的结温、外壳参考

片焊接状况、器件安装状况等其他因素也将直接影响

温度点上的温度、散热器温度等，再用两节点温差除

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到外壳热阻的测量和计算结果。因此，有必要建立起热器上，器件背面中心的下方在散热器中预先埋置一

能反映器件实际散热情况的三维传热模型，通过数值根热电偶用于测量外壳的壳温。安装前，器件与散热

仿真技术来准确预测器件的结温，并在此基础上来评器之间涂导热硅脂或垫一层0.1mm厚的铟片；然后，

估外壳的散热能力。将电源和各种测试仪表与器件的引出端连接好；最后，

2．LDMOS功率管外壳的热像测试方法与热

阻计算模型

对红外热像仪进行初始化和较准。准备工作完成后，

开始对器件加电测试。当结温稳定后表示器件已经达

到了热平衡，这时记录下各仪表的读数。

LDMOS功率器件的热像测试方法，Freescale公

LDMOS功率管外壳的特点是芯片直接焊接在金

司有比较深入的研究，详细的试验方法和步骤在参考

属热沉上，这样芯片产生热量的绝大部分可以通过背

文献[1]中有详细描述。图1为本文所采用的实验方法

面