IGBT模块：技术、驱动和应用课件：功率半导体.ppt

IGBTModules–Technologies,DriverandApplication25双极结型晶体管和场效应晶体管双极结型晶体管（BJT）IGBTModules–Technologies,DriverandApplication26双极结型晶体管和场效应晶体管场效应晶体管（FET）1.结型场效应管（JFET）常闭器件，不适合电力电子器件JFET的设计结构、电路符号及输出特性IGBTModules–Technologies,DriverandApplication27双极结型晶体管和场效应晶体管场效应晶体管（FET）2.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）N沟道增强型MOSFET的内部结构、电路符号和输出特性IGBTModules–Technologies,DriverandApplication28双极结型晶体管和场效应晶体管场效应晶体管（FET）MOS电容工况：累积耗尽反型MOS电容的工作状态IGBTModules–Technologies,DriverandApplication29双极结型晶体管和场效应晶体管场效应晶体管（FET）3.超级结MOSFET标准MOSFET和超级结MOSFET的对比曲线对于FET耐压电压增大一倍，导致通态电阻迅速增加标准MOSFET超级结MOSFETIGBTModules–Technologies,DriverandApplication30双极结型晶体管和场效应晶体管场效应晶体管（FET）内部结构引导电流流过一个比正常掺杂浓度更高的N区，等效电阻随之降低。3.超级结MOSFETIGBTModules–Technologies,DriverandApplication31绝缘栅双极型晶体管（IGBT）MOSFET+双极型晶体管=IGBTIGBT内部结构和等效电路IGBTModules–Technologies,DriverandApplication32绝缘栅双极型晶体管（IGBT）IGBT的输出特性两个平面栅极结构IGBT之间的JFET效应IGBTModules–Technologies,DriverandApplication34绝缘栅双极型晶体管（IGBT）IGBT的关断：第一阶段关断反型沟道，电流迅速下降；第二阶段持续时间较长，导致IGBT拖尾电流。MOSFET和IGBT主要开通和关断特性IGBTModules–Technologies,DriverandApplication35绝缘栅双极型晶体管（IGBT）t0到t1时刻建立空间电荷区t1时刻进入拖尾电流t2时刻剩余载流子从集电极区通过复合被消除t3到t5时刻复合过程IGBT关断过程中内部载流子的分布IGBTModules–Technologies,DriverandApplication36绝缘栅双极型晶体管（IGBT）IGBT寄生电容：输入电容：CGE=C1+C3+C4+C6反向传输电容：CGC=C2+C5输出电容：CCE=C7IGBT的寄生电容IGBTModules–Technologies,DriverandApplication37绝缘栅双极型晶体管（IGBT）IGBT技术特性：降低导通损耗降低开通和关断时的开关损耗器件开关的软特性提高电流密度提高电压等级减少半导体材料,降低成本提升最高工作结温扩展SOAIGBT半导体技术进展IGBTModules–Technologies,DriverandApplication38绝缘栅双极型晶体管（IGBT）英飞凌公司从第二到第四代1200VIGBT典型参数权衡分析图IGBTModules–Technologies,DriverandApplication39绝缘栅双极型晶体管（IGBT）IGBTModules–Technologies,DriverandApplication40绝缘栅双极型晶体管（IGBT）穿通（PT）型IGBT以高掺杂的P+为衬底，之上是N+缓冲层，然后以N-基为外延。N+缓冲区作用使N-基区可以设计得薄一些复合部分从P+发射的空穴缓冲层可以平衡IGBT通态损耗和开关损耗PTIGBT内部层结构及电场分布IGBTModules–Technologies,DriverandApplication41绝缘栅双极型晶体管（