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《 固态源硫化法制备CuInS2薄膜》范文.docxVIP

《 固态源硫化法制备CuInS2薄膜》范文.docx

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    《固态源硫化法制备CuInS2薄膜》篇一

    一、引言

    随着科技的飞速发展，CuInS2（CIS）薄膜作为一种重要的光伏材料，在太阳能电池、光电探测器等众多领域有着广泛的应用。高质量的CIS薄膜制备技术成为了研究的热点。其中，固态源硫化法作为一种新兴的制备技术，因其简单、高效、成本低廉等优点受到了广泛关注。本文将详细介绍固态源硫化法制备CuInS2薄膜的过程及其高质量的制备方法。

    二、固态源硫化法的基本原理

    固态源硫化法是通过将铜、铟和硫源在高温下进行反应，生成CuInS2薄膜的方法。该方法的基本原理是利用固态原料在高温下的热分解和硫化反应，生成CIS薄膜。其优点在于反应过程简单、高效、成本低廉，

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