《GBT 41033-2021CMOS集成电路抗辐射加固设计要求》最新解读.pptx

《GB/T41033-2021CMOS集成电路抗辐射加固设计要求》最新解读;目录;目录;目录;目录;目录;目录;PART;提高设计水平;;;PART;包括宇宙射线、太阳粒子等自然辐射，对CMOS电路产生电离效应和位移效应。;第一阶段;应对核威胁和恐怖袭击;PART;;辐射在栅氧层中产生陷阱电荷，导致阈电压漂移、泄漏电流增大等问题。;工艺加固;PART;辐射效应;;PART;;设计人员;PART;总剂量效应;CMOS;辐射环境;PART;;;CMOS电路的静态功耗极低，仅在开关时产生瞬态功耗。;PART;辐射效应对CMOS器件的影响;;;PART;单粒子效应基本概念;;PART;;SEU可能导致存储器中的数据发生错误，如位翻转、数据损坏等，进而影响系统的稳定性和可靠性。;SEU的防护措施;PART;;;PART;高能辐射粒子（如α粒子、中子）入射到CMOS器件内部，引起电离效应。;电流过大导致CMOS器件失效，电路无法正常工作。;;PART;;剂量率加固;辐射监测;PART;提升电路抗辐射能力;通过增加电路的冗余度、采用抗辐射材料等措施，使电路能够抵抗一定剂量的辐射而不失效。;;采用多个存储器存储相同的数据，当某个存储器受到辐射而失效时，可以读取其他存储器的数据。;;辐射探测器;PART;器件级仿真;;PART;辐射损伤机理研究;;PART;试验样品选择;;PART;;记录方法;PART;;器件准备;;;PART;;主要用于模拟环境中的核辐射效应，如来自放射性同位素的γ射线。;应提供稳定、可靠的辐照源，确保辐照剂量和剂量率的准确性。;PART;试验结果分析与评估方法;;仿真工具选择;;PART;采用特殊工艺和版图设计技术，提高电路的抗辐射能力。;选择具有较高抗辐射能力的CMOS器件，如加固型MOSFET等。;选择抗辐射性能好的封装材料，如陶瓷、玻璃等。;PART;提高集成电路的抗辐射能力;采用加固结构;;PART;工艺控制难度;纳米级CMOS器件的模型参数难以准确提取，给电路设计和仿真带来挑战。;;PART;;;通过调整器件和电路的几何尺寸，减小辐射效应对电路性能的影响。;PART;累积剂量效应;加固设计原则;PART;辐射诱导的氧化层电荷;辐射会在SiO2与Si界面处产生界面陷阱，这些陷阱会捕获电子或空穴，形成界面陷阱电荷。;电离效应的定义;单粒子翻转;PART;;通过测量CMOS器件在电离辐射前后的性能变化来评估其电离总剂量效应。主要参数包括阈值电压漂移、跨导降低、漏电流增加等。;剂量率效应加固;PART;氧化物陷阱电荷是指因辐射而在氧化物中产生的固定正电荷，包括空穴陷阱和电子陷阱。;定义与重要性;;选用抗辐射性能好的氧化物材料，如氧化铝、氮化硅等。;PART;;迁移率降低的应对措施;PART;漏电流增大的处理方法;感谢您下载包图网平台上提供的PPT作品，为了您和包图网以及原创作者的利益，请勿复制、传播、销售，否则将承担法律责任！包图网将对作品进行维权，按照传播下载次数进行十倍的索取赔偿！

;PART;;噪声来源;寄生沟道形成原因;PART;中子撞击CMOS集成电路中的晶体管等器件时，会产生瞬时的高能电子脉冲，导致电路发生硬错误。;能量阱;;PART;选择的材料;材料需具备较高的耐辐射剂量，以保证在辐射环境下正常工作。;辐射加固技术;PART;;;新型互连技术;PART;塑封;在封装内部，将芯片放置在适当的位置，以最大限度地减少辐射对芯片的影响。;三维封装;PART;封装材料的选择;封装结构的形状对辐射的屏蔽效果有一定的影响，常用的形状有矩形、圆形和椭圆形等。;;PART;通过仿真软件对电路进行辐射环境模拟，评估电路在辐射环境下的性能。;;制定测试与验证计划;PART;总剂量测试;;PART;设计成本;效益提升因素;PART;太空中的辐射环境会对航天器的电子设备和材料造成损伤，影响其性能和寿命。;提高抗辐射能力;;PART;;;促进核能发展;PART;医疗电子设备在太空应用中必须考虑宇宙射线和太阳粒子的影响。;抗干扰设计;挑战;PART;总剂量效应;辐射加固设计方法;PART;;;国外在抗辐射加固设计技术方面更加注重整体性和系统性，而国内则更注重局部和单项技术。;PART;;辐射加固设计;整体加固;PART;高能粒子注入;;PART;辐射加固设计所需的知识背景;抗辐射加固设计;;PART;;电路应能在规定的剂量率下正常工作，不发生性能退化或失效。;PART;请问《GB/T41033-2021》的实施由哪些机构进行监督和管理？;;;公众参与;THANKS