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扫描电子显微镜的原理及应用考核试卷

考生姓名：答题日期：得分：判卷人：

本次考核旨在评估学生对扫描电子显微镜（SEM）的原理、构造和应用的理解程度。考生需熟练掌握SEM的工作原理、不同类型的SEM及其特点、成像原理、样品制备技术以及在实际科研中的应用。

一、单项选择题（本题共30小题，每小题0.5分，共15分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）

1.扫描电子显微镜的分辨率通常可达：（）

A.100nm

B.1nm

C.0.1nm

D.10nm

2.SEM的电子束与样品相互作用的主要过程是：（）

A.电子衍射

B.电子散射

C.电子吸收

D.电子透射

3.扫描电子显微镜的加速电压一般范围是：（）

A.10-50kV

B.50-100kV

C.100-200kV

D.200-300kV

4.SEM中用于成像的透射电子束经过样品后的成像方式是：（）

A.透射成像

B.反射成像

C.扩散成像

D.散射成像

5.样品在SEM中需要进行的预处理步骤不包括：（）

A.表面清洁

B.样品干燥

C.样品染色

D.样品切片

6.SEM中使用的加速电压越高，样品的：（）

A.分辨率越高

B.成像质量越好

C.热损伤越小

D.电子束穿透力越强

7.扫描电子显微镜的电子束束斑大小通常为：（）

A.0.5-1nm

B.1-5nm

C.5-10nm

D.10-50nm

8.SEM中使用的扫描系统包括：（）

A.扫描线圈

B.扫描控制器

C.扫描电子枪

D.扫描样品台

9.扫描电子显微镜的放大倍数取决于：（）

A.加速电压

B.电子束束斑大小

C.成像系统

D.样品厚度

10.SEM中用于观察样品的电子束束斑称为：（）

A.扫描束

B.成像束

C.分析束

D.调制束

11.扫描电子显微镜中，用于聚焦电子束的部件是：（）

A.扫描线圈

B.电子枪

C.聚焦线圈

D.电子透镜

12.SEM中用于控制电子束束斑大小的部件是：（）

A.扫描线圈

B.电子枪

C.聚焦线圈

D.电子透镜

13.扫描电子显微镜中，用于控制样品位置的部件是：（）

A.扫描线圈

B.电子枪

C.扫描控制器

D.扫描样品台

14.SEM中用于观察样品表面形貌的成像方式是：（）

A.透射成像

B.反射成像

C.扩散成像

D.散射成像

15.扫描电子显微镜中，用于分析样品成分的部件是：（）

A.能量色散X射线谱仪

B.波谱仪

C.扫描电子枪

D.电子透镜

16.SEM中，通过能量色散X射线谱仪可以检测样品的：（）

A.厚度

B.形貌

C.化学成分

D.结构

17.扫描电子显微镜中，用于观察样品的微观结构的最小单位是：（）

A.像素

B.线元

C.原子

D.分子

18.扫描电子显微镜的分辨率与电子束束斑大小成：（）

A.正比

B.反比

C.无关

D.无法确定

19.扫描电子显微镜中，用于控制电子束束斑的形状的部件是：（）

A.扫描线圈

B.电子枪

C.聚焦线圈

D.电子透镜

20.扫描电子显微镜中，用于观察样品的二维形貌的成像方式是：（）

A.透射成像

B.反射成像

C.扫描成像

D.散射成像

21.扫描电子显微镜中，用于观察样品的表面形貌的成像方式是：（）

A.透射成像

B.反射成像

C.扫描成像

D.散射成像

22.扫描电子显微镜中，用于观察样品的微观结构的成像方式是：（）

A.透射成像

B.反射成像

C.扫描成像

D.散射成像

23.扫描电子显微镜中，用于分析样品成分的成像方式是：（）

A.透射成像

B.反射成像

C.扫描成像

D.散射成像

24.扫描电子显微镜中，用于观察样品的二维形貌的放大倍数取决于：（）

A.加速电压

B.电子束束斑大小

C.成像系统

D.样品厚度

25.扫描电子显微镜中，用于观察样品的微观结构的放大倍数取决于：（）

A.加速电压

B.电子束束斑大小

C.成像系统

D.样品厚度

26.扫描电子显微镜中，用于分析样品成分的成像方式是：（）

A.透射成像

B.反射成像

C.扫描成像

D.散射成像

27.扫描电子显微镜中，用于观察样品的表面形貌的放大倍数取决于：（）

A.加速电压

B.电子束束斑大小

C.成像系统

D.样品厚度

28.扫描电子显微镜中，用于观察样品的微观结构的放大倍数取决于：（）

A.加速电压