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SiC薄膜的制备及性能研究
指导老师：
学生姓名：
专业班级：材料工程
摘要
碳化硅被誉为下一代半导体材料，因为其具有众多优异的物理化
学特性，被广泛应用于光电器件、高频大功率、高温电子器件.本文阐
述了SiC研究进展及应用前景，从光学性质、电学性质、热稳定性、
化学性质、硬度和耐磨性、掺杂物六个方面介绍了SiC的性能.SiC有高
的硬度与热稳定性,稳定的结构，大的禁带宽度,高的热导率，优异
的电学性能。同时介绍了SiC的制备方法：物理气相沉积法和化学气
相沉积法，以及SiC薄膜表征手段。包括X射线衍射谱、傅里叶红外光
谱、拉曼光谱、X射线光电子能谱等。最后讲了SiC的光学性能和电学
性能以及参杂SiC薄膜的光学性能研究进展。
关键词：SiC,溅射，掺杂，性能研究
第1页共32页
StudyOnTheSynthesisAndProperties
OfSiCFilm
Class：MaterialEngineering
Name:HengyiWang
Instructor:YuxiangLi
Abstract
Siliconcarbideisknownasnext-generationsemiconductormaterials，
becauseithasmanyexcellentphysicalandchemicalcharacteristics,
widelyappliedlightelectricparts,highfrequencypower，high
temperatureelectronicdevices。Thispaperexpoundstheresearch
progressandapplicationprospectsoffoundation，fromoptical
properties，electricalproperties,thermalstability，chemicalproperties,
hardnessandabrasionresistance，dopingthingsixaspectsintroducesthe
performanceofSiC。SiChashighhardnessandthermalstability，stable
structure,largeforbiddenbandwidth，highthermalconductivity,
excellentelectricalproperties.Meanwhileintroducesthepreparation
methodsofSiC：thephysicalvapordepositionandchemicalvapor
deposition,andSiCfilmcharacterizationmethods。IncludingX—ray
第2页共32页
diffractionspectrum，Fourierinfraredspectra,Ramanspectra，X-ray
photoelectronspectroscopy（XPS）.FinallyspokeSiCoptical
performanceandelectricalpropertiesandjoinedSiCfilmoptical
propertiesresearchprogress。
:,，
KeywordsSiC，SpurtingMinglePerformancestudy
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