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衬底温度对射频磁控溅射制备ZnO薄膜的影响

摘要：采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备ZnO薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、

扫描电镜(SEM)对不同衬底温度下制备薄膜的相结构和表面形貌进行分析.结果表

明,在衬底温度为500℃时制备的ZnO薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀,结构致密,且沿

c轴择优生长。

关键词：ZnO薄膜；射频磁控溅射；衬底温度

引言1.

是一种直接宽带隙半导体材料ZnO,室温下直接带隙宽度3.37eV,且具有六角纤锌矿晶体结

构,激子束缚能60meV,这使得其在表面声波、体声波、压电器件、气敏元件等方面具有广泛

的应用前景,特别是沿c轴生长的ZnO薄膜,在此应用领域具有更加优越的表现.因而,如何获得

高质量沿c轴生长的ZnO薄膜,一直是其应用领域中的研究热点.目前多种技术已经被应用到

制备ZnO薄膜上,如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、脉冲激光沉积(PLD)、磁控溅射

(MegnetronSputtering)、分子束外延(MBE)、溶胶-凝胶(Sol-gel)和喷雾热解(Spray)等.其中磁控

溅射是一种先进的薄膜制备技术,所制备薄膜的附着性好,薄膜的成分在一定程度上可以控制,

且具有低温、低损伤、易于沿c轴生长等优点,所以被广大