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摘要
目前，白光发光二极管（WLED）已成为21世纪照明的常用光源。随着近紫外
芯片研发技术的日趋成熟，采用近紫外InGaN芯片激发单一基质白光荧光粉具有重要
意义，但稀土发光离子的激发峰为尖锐窄峰、对光吸收的利用率低、不能与近紫外芯
片良好匹配，严重影响流明效率和色彩还原性能。因此，本论文旨在寻找近紫外光区
域具有宽带吸收的氧化物，利用稀土离子双掺实现在单一基质中的白光发射，同时利
用复合结构拓宽稀土氟化物荧光粉在近紫外光区域的激发光谱，合成了一系列稀土离
子掺杂的单相白光发射荧光粉
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