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摘要
锑化物超晶格凭借其独特的能带结构，更高的工作温度，更优异的探测性能等优
势成为第三代红外探测器的首选材料。然而其在空间中应用时不可避免的会受到空间
中高能粒子的辐照，影响其工作状态，严重的甚至会导致器件的失效。为了研究锑化
物超晶格在空间工作时受到的高能粒子辐照的影响，对InAs/InAsSbⅡ类超晶格和
InAs/InGaAsSbⅡ类超晶格材料进行了高能电子辐照处理，对比了辐照处理前后超晶格
材料的结构及光学性能。主要结果如下：
高能电子辐照处理InAs/InAsSbⅡ
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