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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN101752026A
(43)申请公布日2010.06.23
(21)申请号CN201010013649.9
(22)申请日2010.01.21
(71)申请人西北工业大学
地址710072陕西省西安市友谊西路127号
(72)发明人冯丽萍刘正堂李阳平
(74)专利代理机构西北工业大学专利中心
代理人慕安荣
(51)Int.CI
H01B5/14
H01B13/00
C23C14/35
C23C14/58
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
一种红外透明导电薄膜及其制备方
法
(57)摘要
本发明公开了一种红外透明导电薄
膜及其制备方法。所述的红外透明导电薄
膜是在蓝宝石衬底上依次覆盖有Cu薄膜和
CuAlO薄膜。Cu薄膜的厚度为300~
360nm,折射率为1.07~1.13;CuAlO薄膜
的厚度为100~170nm,折射率为1.70~
2.00。制备时采用射频磁控溅射方法在蓝
宝石衬底上沉积Cu薄膜后退火,采用射频
磁控溅射方法在沉积有Cu薄膜的蓝宝石上
再沉积CuAlO薄膜后再退火。本发明制备
的红外透明导电薄膜Cu/CuAlO,不仅具有
很好的红外透过性能,还具有良好的导电
性能,可用于改善红外探测器窗口/头罩材
料的光学性能和抗电磁干扰性能。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种红外透明导电薄膜,其特征在于:在蓝宝石衬底上依次覆盖有Cu薄膜和
CuAlO薄膜,其中Cu薄膜的厚度为300~360nm,折射率为1.07~1.13;CuAlO
薄膜的厚度为100~170nm,折射率为1.70~2.00。
2.一种制备权利要求1所述红外透明导电薄膜的方法,其特征在于,包括下述步骤:
步骤1,采用射频磁控溅射方法在蓝宝石衬底上沉积Cu薄膜;沉积的工艺条件为:
溅射功率为70~90W,Ar气流量为17.0~24.0SCCM,衬底温度为150~300℃,
靶基距为6.2~7.0cm,溅射气压为0.2~0.5Pa,沉积时间2.5~4.0h;
步骤2,对沉积有Cu薄膜的蓝宝石进行退火处理;退火处理的工艺条件为:退火
温度为450~600℃,退火保护气氛为Ar气,退火时间为0.4~0.6h;
步骤3,采用射频磁控溅射方法在经过退火处理蓝宝石上沉积CuAlO薄膜;沉积
的工艺条件为:Cu靶溅射功率为30~60W,Al靶溅射功率为80~110W,Ar气流
量为12.0~20.0SCCM,OSub2/Sub气流量为10.0~16.0SCCM,衬底温度为
350~500℃,靶基距为6.0~9.0cm,溅射气压为0.2~0.5Pa,沉积时间为2.5~3.4h;
步骤4,对沉积有CuAlO薄膜的蓝宝石进行退火处理;退火处理的工艺条件为:
退火温度为450~600℃,退火保护气氛为OSub2/Sub气,退火时间为0.4~
0.6h;得到Cu/CuAlO双层薄膜。
说明书
技术领域
本发明涉及材料科学领域,具体是一种红外透明导电薄膜及其制备方法。
背景技术
目前,红外探测及制导技术几乎被应用到了各种军事作战平台。红外探测器窗口/
头罩将红外传感/成像系统与外界环境分隔开,对系统起着保护作用。可用作3~
5um中波红外波段的探测器窗口/头罩材料有氧化钇、尖晶石、氮氧铝、蓝宝石等。
现代军事和空间技术的发展要求红外探测器窗口/头罩材料除了要能够承受高温、
高压、热冲击、大气中的游离灰尘和冰雹等固体粒子的撞击,还要具备抗电磁干扰
的性能。可是这些红
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