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说明书摘要
本发明涉及一种AZO导电镀膜玻璃蚀刻方法，该蚀刻方法是包括二次刻蚀
工艺过程，第一次先用强酸进行蚀刻，蚀刻出粗糙的绒面，强酸用盐酸或硫酸，
紧接着第二次用弱酸进行绒面修饰性蚀刻，弱酸用醋酸。强酸的质量浓度为
50.1%~0.3%，弱酸的质量浓度为0.2%~0.6%。本发明还提供一种透明导电镀膜
玻璃，其包括玻璃基板以及形成于玻璃基板上的AZO导电膜，该AZO导电膜
通过前述的镀膜玻璃蚀刻方法进行蚀刻，在AZO导电膜的表面形成理想的绒面
结构。由此，通过强酸和弱酸先后蚀刻，刻蚀后的膜层性能和绒面结构优于单
一强酸或弱酸以及混合酸，所形成的绒面更有利于光的散射，雾度和透过率都
10较传统一次蚀刻有所提高，改善了导电玻璃膜层性能，有效地提高了后续薄膜
电池的转换效率，可广泛应用于薄膜太阳能电池等光电产品中。
1
摘要附图
1玻璃基板
1
权利要求书
1.一种镀膜导电玻璃的蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻方法是包括强酸
和弱酸的先后两次刻蚀工艺过程。
2.如权利要求1所述的导电镀膜玻璃蚀刻方法，其特征在于，所述强酸的
5质量浓度为0.1%~0.3%，弱酸的质量浓度为0.2%~0.6%。
3.如权利要求2所述的导电镀膜玻璃蚀刻方法，其特征在于，所述强酸用
盐酸或硫酸，所述弱酸用醋酸。
4.如权利要求1所述的导电镀膜玻璃蚀刻方法，其特征在于，所述的两次
刻蚀工艺过程均为湿法蚀刻。
105.如权利要求1所述的导电镀膜玻璃蚀刻方法，其特征在于，所述镀膜玻
璃蚀刻方法中的镀膜玻璃为具有AZO膜层的AZO玻璃，所述AZO膜层通过
磁控溅射形成。
6.如权利要求1所述的导电镀膜玻璃蚀刻方法，其特征在于，所述强酸溶
液是要始终保持充分混合均匀的，所述弱酸溶液也是要始终保持充分混合均匀
15的。
7.如权利要求4所述的导电镀膜玻璃蚀刻方法，其特征在于，所述湿法蚀
刻方法均为半喷淋半浸泡方式。
8.如权利要求6所述的导电镀膜玻璃蚀刻方法，其特征在于，所述两次刻
蚀工艺过程是独立的，第一步必须先用强酸进行蚀刻，第二步再用弱酸进行蚀
20刻。
9.如权利要求1所述的导电镀膜玻璃蚀刻方法，其特征在于，所述强酸溶
液和弱酸溶液浓度要保持动态平衡。
10.一种透明导电镀膜玻璃，其包括玻璃基板以及形成于所述玻璃基板上的
导电金属氧化物膜层，其特征在于，所述导电金属氧化物膜层通过如权利要求
251-9任一项所述的镀膜玻璃蚀刻方法进行蚀刻，在所述导电金属氧化物膜层的
表面形成更有利于产生光陷阱的绒面结构。
1
11.如权利要求10所述的透明导电镀膜玻璃，其特征在于，所述导电金属
氧化物镀膜为AZO镀膜，所述AZO的膜厚为600-1200nm。
12.如权利要求1所述的导电镀膜玻璃蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻后
导电镀膜玻璃的电阻为5Ω-15Ω，雾度为40%-80%，所述绒面结构的平均高度
5150~200nm，坑平均宽度1~2um，且大坑中再分布有小坑。
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说明书
镀膜导电玻璃蚀刻方法和透明
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