《太阳能光伏电池》考试复习资料4 .pdfVIP

简述非晶硅薄膜太阳电池为什么用p-i-n结构？

由于非晶硅材料具有独特的性质，所以其太阳电池结构不同于晶体硅中的简单的p-n结结构，而是p-i-n结构。这是因为非晶

硅材料属于短程有序、长程无序的晶体结构，对载流子有很强的散射作用，导致载流子的扩散长度很短，使得光生载流子在

太阳电池中只有漂移运动而无扩散运动。因此，单纯的非晶硅p-n结中，隧道电流往往占主导地位，使其呈电阻特性，而无

整流特性，也就不能制作太阳电池。为此，要在p层与n层之间加入较厚的本征层i，以扼制其隧道电流，所以，为了解决

光生载流子由于扩散限制而很快复合（即隧道电流）的问题，非晶体硅薄膜太阳电池一般被设计成pin结构，其中p为入射

光层，i为本征吸收层，n为基层地。

简述表面钝化常用的方法有哪些？表面氧钝化和氢钝化，

表面钝化工艺有：掺氯氧化法、磷硅玻璃钝化法、氮化硅钝化法、三氧化二铝钝化法、半绝缘多晶硅钝化法、低压化学气相

淀积钝化法、金属氧化物钝化法、有机聚合物钝化法、玻璃钝化法等数十种钝化方法。

Pin电池片和nip电池片由于其制膜顺序完全相反，各有自己的特点：

①从大的不同点说起话，顺序为pin电池片的透明电极在nip电池片里是背面电极，在接近表面的一侧。在基片上形

成的透明电极是氧化物，在形成微晶电池片时，有被氢原子还原的担心，pin型电池片的最佳吸收宽度会变窄。nip型在金属

基片或绝缘基片上形成金属薄膜，可形成微晶硅，由于不受氢还原的影响，在高温下也可形成膜，可以扩大最佳吸收宽度。

②从集成结构的观点来看，pin用的是与非晶相类似的集成化技术，有可能形成超级线性集成结构，nip电池片要和非

晶硅电池片一样形成超级线性结构，在同一基片上叠层时，要用与Cu（In，Ga）Se太阳能电池同样的方法集成。

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简述CIS和CIGS系太阳能电池的新进展表现在哪些地方。(P)

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1）Cd自由缓冲层。关于不用Cd的缓冲层的开发研究，目前是相当活跃的。使用CIGS系太阳能电池时，Cd的的绝对量是

非常少的，是住宅应用时几乎不产生问题的用量，但对于环保的太阳能电池,还是应该考虑尽量避免使用。

2）柔性基片。最近，使用柔性基片的CIGS太阳能电池的开发正在活跃进行中。这类基片除了用薄膜基片进行连续生长外，

在宇宙应用上也期待有很大的市场。CIGS太阳能电池，在高能量粒子存在的宇宙空间中，为了显示高度的安定性能，如果

重量轻的柔性基片能制造高效率的太阳能电池，空间应用时重要的W/kg比就可以达到极大值。

3）S系、Al系等新材料。可作为太阳能电池相应禁带宽度的钙硫化铁矿半导体是很多的，除了Cu（InGa）Se系外，人们对

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CuInS也有很高的兴趣。在CuInS系中，目前小面积可达到12%的转换效率。最近，人们更感兴趣的材料还有Cu（In-Al）

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Se系，由于Al容易被氧化，是很难处理的材料，故只得到了与Ga系接近的16.9%的转化效率。

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4）聚光电池片。标准状态下CIGS电池片的聚光的工作效率为17.9%，当聚光倍率增加，开放电压也提高，聚光倍率14时

可得到21.5%的转换效率。

5）宇宙空间应用。目前知道的太阳能电池中，按Si、GaAs、InP的顺序，可得到高耐放射性的实验结果，但已明确，CIGS

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比InP具有更强的受耐性。Schock等人用初期效率为10%的CuInS薄膜太阳能电池，即使用10MeV的质子照射（3*10p/cm），

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电气性能也能维持在初期值的85%以上。

6）4端子串联的高效化。小面积CIGS系太阳能电池的转换效率为19%，为了实现串联太阳能电池，有必要对开发较迟缓的

宽禁带宽度的