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5.4同步测试习题及解答

5.4.1同步测试习题

一、填空题

1.在多级存储体系中，Cache的主要功能是_________，虚拟存储器的主要功能是___________。

靠_________存储信息，DRAM靠_______存储信息。________存储器需要定时刷新。

3.动态半导体存储器的刷新一般有________、__________和__________。

4.一个512KB的存储器，其地址和数据线的总和是________。

5.假设RAM芯片内有1024个单元，用单译码方式，地址译码器有_______条输出线；用双译码方式，地址译码器有________条输出线。

6.高速缓冲存储器中保存的信息是主存信息的__________。

二、选择题

1.在磁盘和磁带这两种磁介质存储器中，存取时间与存储单元的物理位置有关，按存储方式分_____。

A．二者都是顺序存取B.二者都是直接存取

C.磁盘是直接存取，磁带是顺序存取D.磁带是直接存取，磁盘的顺序存取

2.存储器进行一次完整的读写操作所需的全部时间称为〔〕

A.存取时间B.存取周期周期D.机器周期

3.以下哪种类型的存储器速度最快〔〕

4.下述说法中正确的选项是〔〕

A．半导体RAM信息可读可写，且断电后仍能保持记忆

B．动态RAM的易失性RAM，而静态RAM中的存储信息是不易失的

C．半导体RAM是易失RAM，但只要电源不断电，所存信息是不丧失的

D．半导体RAM是非易失性的RAM

5．动态RAM的刷新是以〔〕

A．存储单位B．行C．列D．存储位

芯片，其容量为1024×8，除电源和接地端外，该芯片最少引出线数位〔〕

A．16B．17C．20D．21

7.存储器容量为32K×16，那么〔〕

A．地址线为16根，数据线为32根

B．地址线为32根，数据线为16根

C．地址线为15根，数据线为16根

D．地址线为16根，数据线为15根

8.某计算机字长为32位，存储器容量为4MB，假设按字编址，其寻址范围是0到〔〕

A．220-1B．221-1C．223-1D．224-1

9.下述说法正确的选项是〔〕

A．EPROM是可改写的，因而也是随机存储器的一种

B．EPROM是可改写的，但它不能用作为随机存储器用

C．EPROM只能改写一次，故不能作为随机存储器用

D．EPROM是只能改写一次的只读存储器

10.通常计算机的主存储器可采用〔〕

A．RAM和ROMB．ROMC．RAMD．RAM或ROM

11.存储器采用局部译码法片选时〔〕

A．不需要地址译码器B．不能充分利用存储器空间C．会产生地址重叠D．CPU的地址线全参与译码

12.在主存和CPU之间增加高速缓冲存储器的目的是〔〕

A．解决CPU和主存之间的速度匹配问题B．扩大主存容量C．扩大CPU通用存放器的数目D．即扩大主存容量又扩大CPU中通过存放器的数量

13.在程序的执行过程中，Cache与主存的地址映射是由〔〕

A．操作系统来管理的B．程序员调度的C．由硬件自动完成的D．由软、硬件共同完成的

14.采用虚拟存储器的目的〔〕

A．提高主存的速度B．扩大辅存的存取空间C．扩大主存的存取空间D．扩大存储器的寻址空间

15.常用的虚拟存储器寻址系统由〔〕两级

A．主存—辅存B．Cache—主存C．Cache—辅存D．控件—主存

三、判断题

1.存取周期是指启动一次存储器操作到完成该操作所需的时间。

2.CPU访问存储器的时间是由存储体的容量决定的，存储容量越大，访问存储器所需时间就越长。访问存储器所需时间就越长。

3．随机存储器需要定时地进行刷新。

4．因为动态存储器是破坏性读出，所以必须不断地刷新。

5．断电后，RAM中的数据不会丧失。

6．动态RAM的异步刷新方式没有读写死区。

7．断电后，EEPROM中的数据不会丧失。

8．一般情况下，ROM和RAM在存储体中是统一编址的。

9．用户编程的地址称为虚地址，通常虚地址的范围要比实地址大得多。

四、简答题

1．说明SRAM的组成结构，与SRAM相比，DRAM在电路组成上有什么不同之处？

2．DRAM存储器为什么要刷新？采用何种方式刷新？

3．存储器系统的层次结构可以解决什么问题？实现存储器层次结构的先决条是什么？用什么来度量?

五、分析题

1．某计算机系统字长32位，主存以字节编址，试画了存储器字地址和字节地址的分配情况示意