ZnO-SnO2透明导电薄膜光电特性研究[设计+开题+综述] .pdfVIP

开题报告

电气工程与自动化

ZnO-SnO2透明导电薄膜光电特性研究

一、选题的背景与意义：

随着电子信息产业的迅猛发展，透明导电薄膜材料被广泛应用于半导体集成

电路、平面显示器、抗静电涂层等诸多领域，市场规模巨大。

1.透明导电薄膜的概述

自然界中往往透明的物质不导电,如玻璃、水晶、水等，导电的或者说导电

性好的物质往往又不透明,如金属材料、石墨等。但是在许多场合恰恰需要某一

种物体既导电又透明,例如液晶显示器、等离子体显示器等平板显示器和太阳能

电池光电板中的电极材料就是需要既导电又透明的物质。透明导电薄膜是薄膜材

料科学中最重要的领域之一，它的基本特性是在可见光范围内，具有低电阻率，

高透射率，也就是说，它是一种既有高的导电性，又对可见光有很好的透光性，

而对红外光有较高反射性的薄膜。正是因为它优异的光电性能，它被广泛的应用

在各种光电器件中，例如：平面液晶显示器（LCD），太阳能电池，节能视窗，汽

车、飞机的挡风玻璃等。自从1907年Badeker制作出CdO透明导电薄膜以后，

人们先后研制出了InO，SnO，ZnO等为基体的透明导电薄膜。目前世界研究

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最多的是掺锡InO（简称ITO）透明导电薄膜，掺铝ZnO（简称AZO）透明导电

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薄膜。同时，人们还开发了CdInO、CdSnO、ZnSnO等多元透明氧化物薄膜。

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2.SnO基薄膜

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SnO（Tinoxide，简称TO）是一种宽禁带半导体材料，其禁带宽度Eg=3.6eV，

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n型半导体。本征SnO薄膜导电性很差，因而得到广泛应用的是掺杂的SnO薄

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膜。对于SnO来说，五价元素的掺杂均能在禁带中形成浅施主能级，从而大大

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改善薄膜的导电性能。目前应用最多、应用最广的是掺氟二氧化锡（SnO:F，简

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称FTO）薄膜和掺锑二氧化锡（SnO:Sb,简称ATO）薄膜。SnO:Sb薄膜中的Sb

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通常以替代原子的形式替代Sn的位置。掺杂Sb浓度不同，电阻率不同，最佳

-3

Sb浓度为0.4%-3%（mol）的范围对应电阻率为10Ω·cm，可见光透过率在

I

80%-90%。SnO:F薄膜热稳定性好、化学稳定性好、硬度高、生产设备简单、工

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艺周期短、原材料价格廉价、生产成本低，用热解法制得的FTO薄膜电阻率约为

-4

6×10Ω·cm,可见光范围内的透过率在80%以上。

3.ZnO基薄膜

ZnO是一类重要的宽禁带Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料，结构为六方纤锌矿

型，属n型氧化物半导体，其直接禁带宽度为3.3eV，对可见光的透明性好。ZnO

薄膜原料丰富、成本廉价、性能优异，成为国外科学工作者研究的热点。作为Ⅱ-

—Ⅵ族化合物的氧化锌，Ⅲ族元素和Ⅶ族元素原子可以占据Ⅱ族和Ⅵ族元素的位

置而起施主的作用。在ZnO中掺入Ga、Al、In或F离子能改善ZnO薄膜的光学

和电学性能。其中ZnO:Al的研究最广泛和最深入，目前已经在薄膜太阳能电池

中取得了部分应用。许多实验研究发现AlO的含量为2%-3%（wt）时，对提高

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导电效率最好，ZnO靶材中掺入2%（wt）的Al