Zr_共掺杂ZnO透明导电薄膜的结构以及光电性能研究_薛建设 .pdfVIP

第22卷第5期液晶与显示Vol.22,No.5

2007年10月ChineseJournalofLiquidCrystalsandDisplaysOct.,2007

文章编号:1007-2780(2007)05-0560-05

(Al,Zr)共掺杂ZnO透明导电薄膜的

结构以及光电性能研究

12222

薛建设,林炜,马瑞新,康勃,吴中亮

(1.北京京东方光电科技有限公司,北京100176,E-mail:xuejianshe@.cn;

2.北京科技大学冶金与生态工程学院,北京100083)

摘要:用射频磁控溅射法在玻璃衬底上氩气气氛中制备出(Al,Zr)共掺杂的ZnO透明导

电薄膜,研究了不同Zr掺杂浓度和薄膜厚度ZnO薄膜的结构、电学和光学特性。结果表明,

在最佳沉积条件下我们制备出了具有(002)单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构,电阻率为

2.2×10-2Ψ·cm,且可见光段(320～800nm)平均透过率达到85%的ZnO透明导电薄膜。

在150℃的条件下对(Al,Zr)共掺杂的ZnO薄膜进行1h的退火处理,薄膜电阻率降低至

8.4×10-3Ψ·cm。Zr杂质的掺入改善了薄膜的可见光透光性。

关键词:氧化锌;透明导电薄膜;电阻率;透光率;射频磁控溅射

中图分类号:O484.4文献标识码:A

1引言杂元素一般以Ⅲ族元素(如B、Al、Ga、In、Sc和Y

等)或Ⅳ族元素(Si、Ge、Sn、Pb、Ti、Zr和Hf等)

-2-[4]。其中,掺铝

透明导电薄膜是在可见光区透光(T80%)、替代Zn原子或者用F替代O

紫外区截至,并且具有较低电阻率(～10-4Ψ·cm)氧化锌(ZAO)薄膜是目前各国所做研究工作最

的一种功能薄膜。透明导电薄膜主要分为:金属多、最深入的一种氧化锌基透明导电薄膜[5,6]。

膜系、透明导电氧化物(TCO)、高分子膜系、复合近几年人们开始尝试通过共掺杂ZnO薄膜来获

膜系、其他化合物膜系等,其中TCO薄膜是目前得高性能的透明导电薄膜。目前共掺杂ZnO透

工业最广泛应用的[1,2]。氧化铟锡(ITO)透明导明导电薄膜的研究工作有Mn-Al共掺杂ZnO薄

电薄膜作为一种TCO薄膜,基于其高透光率膜[7],N-In共掺杂ZnO薄膜[8],Gd-Al共掺杂

(T90%)、低电阻率(ρ～10-4Ψ·cm)和易刻ZnO薄膜[9],Ga-B共掺杂ZnO薄膜[10],Al-Cr共

蚀等优越性能,是目前TCO薄膜市场的主流产掺杂ZnO薄膜[11],Al-Co共掺杂ZnO薄膜[12]等。

品。然而,氧化铟锡透明导电薄膜也有其自身的Zr单掺杂ZnO透明导电薄膜的研究报道比较

缺点,如ITO靶材的原材料价格昂贵,铟锡矿产少[13]。因此本文将ZAO薄膜中的小部分杂质铝

资源相对紧缺、不耐腐蚀性等缺点[3]