模电第一章半导体基础(场效应管).ppt

共发射极接法电路输出特性曲线可以分为三个区域:1.4场效应管结型场效应管绝缘栅型场效应管场效应管的主要参数晶体管和场效应管的比较概述1.定义是利用电场效应来控制输出电流的半导体器件。因仅一种载流子参与导电，又称单极型晶体管。场效应管分类3.特点输入电阻大（107~1012欧姆），故控制电流小。受温度、辐射等的影响小。噪声小、能耗低。便于集成。抗静电能力差。一、结型场效应管1.结构及符号⑴uGS=0，uDS=0时⑵uGS＜0，uDS=0时⑵uGS＜0，uDS=0时⑵uGS＜0，uDS=0时⑶uGS不变，uDS＞0时⑶uGS=C，uDS＞0时⑶uGS=C，uDS＞0时⑶uGS=C，uDS＞0时⑷uGS＜0，uDS＞0时工作原理演示（A1-12)由上分析可知当uDS增加到使uGD=uGS-uDS＞uGS(off)，即uDS＜uGS-uGS(off)时，D-S间呈电阻性。当uDS=uGS-uGS(off)时，予夹断。当uDS＞uGS-uGS(off)时，iD恒定。电流方程2.N沟道耗尽型MOS管2.N沟道耗尽型MOS管

三、场效应管的参数和型号①开启电压uGS(th)(或VT)是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通。④输入电阻RGS场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管,RGS约是109～1015Ω。输入电阻上（从信号源取电流）导电机理噪声系数极的互换集成四、晶体管与场效应管的比较例题1：已知某管子的输出特性曲线如图所示，分析该管的类型。例题2：解：当uGS=uI=0时，管子处于夹断状态，因而iD=0。所以u0=uDS=VDD-iDRD=15V。当uGS=uI=8V时，从输出特性曲线可知，管子工作在恒流区时的iD=1mA，所以u0=uDS=VDD-iDRD=10V1.5其它半导体器件（自学）单结晶体管晶闸管（可控硅）集成电路器件（1.6.4集成电路中元件的特点）本节要求掌握场效应管的主要类型；（结型N沟道、N沟道MOS管）导电机理、转移、输出特性、三个工作区的特点。理解主要参数的物理意义。了解其它半导体器件。转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。gm的量纲为mA/V，所以gm也称为跨导。跨导的定义式如下gm=?iD/?uGS?uDS=const(单位mS)iD=f(uGS)?uDS=const③特性曲线和电流方程转移特性曲线UGS（th）2UGS（th）漏极输出特性曲线iD=f(uDS)?uGS=const2UGS(th)UGS(th)电流方程为：在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。所以当UGS=0时，这些正离子已经在感应出反型层，在漏源之间形成了沟道。于是只要有漏源电压，就有漏极电流存在。结构示意图各类场效应管的特性曲线绝缘栅场效应管N沟道增强型P沟道增强型绝缘栅场效应管N沟道耗尽型P沟道耗尽型结型场效应管N沟道P沟道②夹断电压uGS(off)(或VP)夹断电压是耗尽型FET的参数，当uGS=uGS(off)时,漏极电流为零。③饱和漏极电流IDSS耗尽型场效应管,当uGS=0时所对应的漏极电流。⑤低频跨导gm低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，gm可以在转移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。⑥最大漏极功耗PDM最大漏极功耗可由PDM=uDSiD决定，与双极型三极管的PCM相当。四、晶体管与场效应管的比较场效应管的漏极d、栅极g和源极s分别对应晶体管的集电极c、基极b和发射极e，其作用类似。场效应管以栅-源电压控制漏极电流，是电压控制型器件，且只有多子参与导电，是单极性晶体管；三极管以基极电流控制集电极电流，是电流控制型器件，晶体管内既有多子又有少子参与导电，是双极性晶体管。场效应管的输入电阻远大于晶体管的输入电阻，其温度稳定性好、抗辐射能力强、噪声系数小。场效应管的漏极和源