模电期末复习资料.ppt

模拟电子技术复习课

本教材总体框架信号发生器信号滤波放大器稳压电源功率放大第九章第九章第二、四、五、六、七章第八章第三、十章

器件普通二极管三极管稳压二极管场效应管运放单向导电性应用：整流限幅开关分析方法：理想模型恒压模型小信号击穿稳压（其它特性与二极管相同）应用：稳压分析方法：稳压电路须确保工作于击穿区放大信号iC=βiBiE=(1+β)iB工作条件：发射结正偏；集电极反偏（PNP；NPN）。放大区、饱和区、截止区放大信号工作条件：增强型栅源电压大于开启电压；加漏源电压。耗尽型栅源电压大于夹断电压；加漏源电压。可变电阻区、恒流区、截止区放大信号虚断、虚短工作条件：负反馈（闭环）

器件普通二极管判断工作状态计算电流、电压画波形图稳压二极管判断工作状态计算电流、电压画波形图三极管场效应管判断工作状态管子类型计算静态电流、电压直流通路判断失真类型及解决办法

形成——由于浓度差，而出现扩散运动，在中间形成空间电荷区又由于空间电荷区的内电场作用，存在漂移运动单向导电性——不外加电压，扩散运动=漂移运动，iD=O加正电压，扩散运动漂移运动形成iD加反向电压，扩散运动为O，只有很小的漂移运动形成反向电流特性方程：iD=IS（eVo/VT-1）特性曲线硅管：死区0.5v，导通电压0.6-0.7v锗管：死区0.1v，导通电压0.2v普通二极管(理想模型、恒压模型）

反向偏置且VI＞VZ；稳压原理：无论输入变化或负载变化，引起的电流变化都加于稳压管上，从而使输出稳定参数：VZ、IZ、PZM、稳压二极管IZmin≤IZ≤IZmax

双极型三极管场效应三极管结构NPN型结型耗尽型N沟道P沟道 PNP型绝缘栅增强型N沟道P沟道绝缘栅耗尽型N沟道P沟道C与E一般不可倒置使用D与S有的型号可倒置使用载流子多子扩散少子漂移多子漂移输入量电流输入电压输入控制电流控制电流源CCCS(β)电压控制电流源VCCS(gm)双极型和场效应型三极管的比较

理解半导体三极管电流控制器件iC=βiBiE=(1+β)iB特性曲线输入：饱和区：发射结、集电结均正偏，VBE=0.7V,VCE=0.3V输出：放大区:发一正,集一反,VBE=0.7遵循iC=βiB截止区:发射结、集电结均反偏VBE＜0.5V时已进入截止区参数：集电极最大允许电流ICM、集电极最大允许功耗PCM

三极管构成放大电路共射、共集、共基组态

1、理解放大和放大电路的性能指标(放大倍数，输入、输出电阻）2、放大电路组成及特性（考点：静态工作点的计算、接法是否正确、各器件的作用）重点掌握单管共射、共集电路(包括分压式和射极偏置)电路的组成和工作原理,共射极放大电路

3、熟练掌