模电第一章课件.ppt

双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。两种极性的双极型三极管1.4.3三极管的特性曲线B表示输入电极，C表示输出电极，E表示公共电极。所以这两条曲线是共发射极接法的特性曲线。iB是输入电流，uBE是输入电压，加在B、E两电极之间。iC是输出电流，uCE是输出电压，从C、E两电极取出。双极型三极管场效应三极管结构NPN型结型耗尽型N沟道P沟道 PNP型绝缘栅增强型N沟道P沟道绝缘栅耗尽型N沟道P沟道C与E一般不可倒置使用D与S有的型号可倒置使用载流子多子扩散少子漂移多子漂移输入量电流输入电压输入控制电流控制电流源CCCS(β)电压控制电流源VCCS(gm)双极型三极管场效应三极管噪声较大较小温度特性受温度影响较大较小，可有零温度系数点输入电阻几十到几千欧姆几兆欧姆以上静电影响不受静电影响易受静电影响集成工艺不易大规模集成适宜大规模和超大规模集成三、极限参数1.集电极最大允许电流ICMICM指三极管集电极允许的最大电流。IC超过ICM时,β明显下降2．集电极最大允许功耗PCMPCM表示集电结上允许损耗功率的最大值。集电极功率损耗PC＝，当PC＞PCM时，集电结会过热烧毁。对于大功率管，为了提高PCM，通常采用加散热装置的方法。3．反向击穿电压U（BR）CEOU（BR）CEO指基极开路时集电极与发射极间的反向击穿电压1.4.5三极管的小信号模型三极管工作在放大区时，迭加在静态工作点上的交流信号足够小，三极管特性可近似为线性，这时三极管可用一个线性等效电路(模型)来表示。一、H参数等效电路接成共发组态的三极管如图1.36(a)所示。三极管H参数等效电路如图1.36(b)所示。图见下页1．H参数的导出图1.36接成共发组态的三极管及H参数等效电路(a)共发组态三极管(b)H参数等效电路图1.37(a)H参数的物理意义hie2．H参数的物理意义图1.37(b)H参数的物理意义hre图1.37图1.37(c)H参数的物理意义hfe图1.37图1.37(d)H参数的物理意义hoe3．简化H参数模型通常情况下，hre、hoe很小，可以忽略，hie为基极—发射极间的交流输入电阻，用rbe表示，hfe用β代替，可得到简化H参数等效电路如图1.38所示。4．rbe的确定rbe可用下列公式估算：rbb’’为基区体电阻，对于低频小功率管rbb’`约200Ωre为发射结结电阻，可由PN结方程导出：rbe和β也可用H参数测试仪和晶体管图示仪测量得到图1.38三极管简化H参数模型图1.39三极管混合π型等效电路二、混台π型等效电路1．混合π型等效电路的导出由三极管实际结构画出其混合π型等效电路如图1.39b’为三极管内部等效节点rb’e为发射结微变等效电阻rb’c为集电结结电阻，rb’c很大，可视为开路rce为集电极输出电阻Cπ为发射结正偏时的等效电容，主要是扩散电容Cu为集电结反偏时的等效电容，主要是势垒电容2.gm的确定由于考虑了结电容的影响，和已不再保持正比关系，所以用电流源gm·来表示基极回路对集电极回路的控制作用。