半导体制造过程控制系统（PCS）系列：光刻控制系统_19.先进光刻技术的发展趋势.docx

PAGE1

PAGE1

19.先进光刻技术的发展趋势

19.1光刻技术的基本概念

光刻技术是半导体制造过程中的一项关键步骤，它通过将图案从掩膜转移到光刻胶上，进而转移到硅片表面，实现微电子器件的精细加工。光刻技术的基本原理是利用光敏材料（光刻胶）在特定波长的光照射下发生化学变化，从而形成所需的图案。这一过程包括以下几个主要步骤：

涂胶：在硅片表面均匀涂覆一层光刻胶。

曝光：通过掩膜将图案曝光到光刻胶上。

显影：使用显影液将曝光后的光刻胶图案显影出来。

刻蚀：将显影后的光刻胶图案作为掩膜，对硅片进行刻蚀，形成最终的图案。

去胶：去除残留的光刻胶，完成整个光刻过程。

19.2