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士兰微电子SVSP14N65FJD(T)KD2说明书
14A,650V超结MOS功率管
描述2
SVSP14N65FJD/T/KD2N沟道增强型高压功率MOSFET采用
士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损1
1
2
耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。3
此外，SVSP14N65FJD/T/KD2应用广泛。如，适用于硬/软开关3TO-262-3L
1.栅极2.漏极3.源极
拓扑。
特点
14A,650V,RDS(on)(典型值)=0.26@VGS=10V
创新高压技术12312
3
低栅极电荷TO-220FJD-3LTO-220-3L
定期额定雪崩
较强dv/dt能力
高电流峰值
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVSP14N65FJDD2TO-220FJD-3LP14N65FJD无卤料管
SVSP14N65TD2TO-220-3LP14N65TD2无卤料管
SVSP14N65KD2TO-262-3LP14N65KD2无卤料管
杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.2
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士兰微电子SVSP14N65FJD(T)KD2说明书
极限参数(除非特殊说明，T=25C)
A
参数值
参数符号单位
SVSP14N65FJDD2SVSP14N65TD2/KD2
漏源电压VDS650V
栅源电压
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