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士兰微电子SVSP20N60FJ说明书
20A,600VDPMOS功率管
描述
2
SVSP20N60FJN沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子
DPMOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器
1
具有高效，高功率密度，提高热行为。
此外，SVSP20N60FJ应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。3
1.栅极2.漏极3.源极
特点
20A，600V，RDS(on)(typ.)=0.16@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
定期额定雪崩12
3
较强dv/dt能力
TO-220FJ-3L
高电流峰值
命名规则
SVSPXNEXXX
士兰F-Cell工艺VDMOS产品封装外形标识
标识例如：FJ:TO-220FJ
工艺版本，P表示钝化
PASSIVATION额定耐压值，采用2位数字
额定电流标识,采用1-2位数字；例如：50表示500V,65表示650V
例如:4代表4A,20代表20A,
08代表0.8A特殊功能、规格标识，通常省略
沟道极性标识，N代表N沟道例如：E表示内置了ESD保护结构
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装形式
SVSP20N60FJTO-220FJ-3LP20N60FJ无卤料管
杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.3
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士兰微电子SVSP20N60FJ说明书
极限参数(除非特殊说明，T=25C)
C
参数名称符号参数范围单位
漏源电压VDS600
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