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SVT10500PD说明书
-30A、-100VP沟道增强型场效应管
描述
SVT10500PDP沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的
LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的
导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特点
-30A，-100V，RDS(on)（典型值）35m@VGS-10V
低栅极电荷
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
关键特性参数
参数参数值单位
VDS-100V
VGS(th)-1.5~-2.5V
RDS(on),max50m
ID-30A
Qg.typ80nC
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVT10500PDTRTO-252-2L10500PD无卤编带
杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.12022-04-12
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SVT10500PD说明书
极限参数（除非特殊说明，T25C）
J
参数值
参数符号测试条件单位
最小值典型值最大值
漏源电压VDS---100----V
栅源电压VGS---20--20V
T25C-----30A
C
漏极电流ID
T100C-----20A
C
漏极脉冲电流（注1）IDMT25C
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