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微波集成电路及其CAD概念综述

第1章绪论

微波电路开始于40年代应用的立体微波电路[1]

，它是由波导传

输线、波导元件、谐振腔和微波电子管组成。随着微波固态器件的发

展以及分布型传输线的出现，60年代初，出现了平面微波电路，它

是由微带元件、集总元件、微波固态器件等利用扩散、外延、沉积、

蚀刻等制造技术将这些无源微波器件和有源微波元件制作在一块半

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导体基片上的微波混合电路，即HMIC。它属于第二代微波电路。

与以波导和同轴线等组成的第一代微波电路相比较，它具有体积小、

重量轻等优点，避免了复杂的机械加工，而且易与波导器件，铁氧体

器件连接，可以适应当时迅速发展起来的小型微波固体器件。又由于

其性能好、可靠性强、使用方便等优点，因此即被用于各种微波整机，

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并且在提高军用电子系统的性能和小型化方面起了显著的作用。

70年代，GaAs材料制造工艺的成熟，对微波半导体技术的发展

有着极为重要的影响。GaAs材料的电子迁移率比Si高七倍，而且漂

移速度也比Si高的多，这种高频高速性能是由其材料特性决定的。又

由于GaAs材料的半绝缘性(其电阻率可达105Ω/cm)可以不需要采用

特殊的隔离技术而将平面传输线，所以无源元件和有源元件集可以成

在同一块芯片上，更进一步地减小了微波电路的体积。

正是由于GaAs技术的问世与GaAs材料的特性而促成了由微波

集成电路向单片集成电路的过渡。与第二代的微波混合电路HMIC相

比较，MMIC的体积更小、寿命更长、可靠性高、噪声低、功耗小、

工作的极限频率更高等优点。例如在在HMIC与MMIC就高增益放大

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器的比较中可以发现（见表1-1）：放大器的尺寸，MMIC元件数，

连线接头数均比要HMIC少，且二者的电器性能相近，MMIC的极限

频率和增益要比HMIC大。因此，受到广泛的重视。尽管MMIC技术

发展很快，但至今为止仍然存在这某些互联困难。某些性能指标的常

规电路元件不能制造，开发费用高等问题。我国MMIC受到投资不足，

技术水平低等条件的限制，发展一直比较缓慢。相对而言MHMIC技

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《微波集成电路》课程专题讲座之一2003年3月哈工大吴群

术则克服了这些问题，它具有许多突出的优点：电路的体积比传统的

微波混合电路大大缩小、设计灵活、开发成本低、周期短、生产效率

高。为微波混合集成电路进行低成本的大规模生产提供了有效的技术

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途径。正是因为如此，国外MHMIC技术也获得了迅速的发展。

表1-1高增益放大器HMIC与MMIC的比较

HMICMMIC

频率(GHz)8―18频率(GHz)7.5―18.5

噪声系数(dB)4.5(典型值)噪声系数(dB)5.2(典型值)

增益(dB)40±2增益(dB)57±1.5

线接头数400线接头数14

FET数16FET数16

基片数