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士兰微电子SVSP14N60F(FJD)(T)D2说明书
14A,600V超结MOS功率管
描述2
SVSP14N60F(FJD)(T)D2N沟道增强型高压功率MOSFET采
1
用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关
损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
3
此外，SVSP14N60F(FJD)(T)D2应用广泛。如，适用于硬/软开关1.栅极2.漏极3.源极
拓扑。
1
特点21
32
TO-220-3L3
TO-220F-3L
14A，600V，RDS(on)(典型值)=0.25@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷123
TO-220FJD-3L
定期额定雪崩
较强dv/dt能力
高电流峰值
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVSP14N60TD2TO-220-3LP14N60TD2无卤料管
SVSP14N60FJDD2TO-220FJD-3LP14N60FJD无卤料管
SVSP14N60FD2TO-220F-3LP14N60FD2无卤料管
杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.2
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士兰微电子SVSP14N60F(FJD)(T)D2说明书
极限参数（除非特殊说明，T=25C）
J
参数值
参数符号
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