士兰微代理商SVSP24N60FJDD2深圳恒锐丰科技.pdf

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士兰微电子SVSP24N60FJD(T)D2说明书

24A，600V超结MOS功率管

描述

SVSP24N60FJD(T)D2N沟道增强型高压功率MOSFET采用士

兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。

使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为.3

此外，SVSP24N60FJD(T)D2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓1.栅极2.漏极3.源极

扑。

特点1

TO-220FJD-3L

24A，600V，RDS(on)(典型值)=0.14@VGS=10V

创新高压技术

低栅极电荷3TO-220-3L

定期额定雪崩

较强dv/dt能力

高电流峰值

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式

SVSP24N60FJDD2TO-220FJD-3LP24N60FJD无卤料管

SVSP24N60TD2TO-220-3LP24N60TD2无卤料管

杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.5

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士兰微电子SVSP24N60FJD(T)D2说明书

极限参数（除非特殊说明，T=25C）

参值

参数名称符号单位

SVSP24N60FJDD2SVSP24N60TD2

漏源电压

该用户很懒，什么也没介绍

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