原创力文档- 1、本文档共9页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
SVT034R6ND(T)说明书
120A、30VN沟道增强型场效应管
描述
SVT034R6ND(T)N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰
的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低
的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特点
120A，30V，RDS(on)（典型值）3.5m@VGS10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt能力
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
关键特性参数
参数参数值单位
VDS30V
VGS(th)1.2~2.2V
RDS(on),max4.6m
ID120A
Qg.typ32nC
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVT034R6NDTRTO-252-2L034R6ND无卤编带
SVT034R6NTTO-220-3L034R6NT无铅料管
杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.2
共9页第1页
SVT034R6ND(T)说明书
极限参数(除非特殊说明，TA25C)
参数值
参数符号测试条件单位
最小值典型值最大值
漏源电压VDS--30----V
栅源电压VGS---20--20V
T25C----120A
C
漏极电流ID
T100C----76A
文档评论（0）