- 1、本文档共10页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
CRSD090N10N4Z
华润微电子(重庆)有限公司SkyMOS4NMOSFET100V,8.3m,74A
FeaturesProductSummary
•UsesCRM(CQ)advancedSkyMOS4technologyVDS100V
•ExtremelylowonresistanceRDS(on)RDS(on)@10Vtyp8.3m
•ExcellentQxRproduct(FOM)ID74A
gDS(on)
•QualifiedaccordingtoJEDECcriteria
100%100%100%AvalancheTestedAvalancheTestedAvalancheTested
Applications
100%DVDSTested100%DVDSTested100%DVDSTested
•SynchronousRectificationforAC/DCQuickCharger
•Batterymanagement
•UPS(UninterrupiblePowerSupplies)
CRSD090N10N4Z
PackageMarkingandOrderingInformation
Part#MarkingPackagPackingRlSizTapeWidthQty
CRSD090N10N4Z090N10N4ZTO252TapeRlN/AN/A2500pcs
AbsoluteMaximumRatings
ParameterSymbolValueUnit
DrainsourcevoltagVDS100V
Continuousdraincurrent
T=25°C(Siliconlimit)74
C
IDA
T=25°C(Packagelimit)80
C
T
文档评论(0)