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三明治结构Ga2O3基紫外光电探测器的制备及等离激元表面修饰的研究.pdf

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    摘要

    氧化镓(GaO)具有4.8eV-4.9eV的超宽带隙和高击穿电场(约8MV·cm-1)，被广

    23

    泛认为是制备日盲光电探测器的新一代半导体材料。非晶GaO材料除了具有优异的

    23

    光电特性外，还具有成本低廉、制备设备、工艺简单和无需晶格匹配衬底以及生长

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