第一章 半导体基础知识题库 .pdfVIP

1．二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错）

2．晶体管可以把小电流放大成大电流。（对）

3．在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。（对）

4．在P型半导体中，空穴是少数载流子，电子是多数载流子。（错）

5．晶体管可以把小电压放大成大电压。（错）

6．在N型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。（错）

7．在N型半导体中空穴是少数载流子，电子是多数载流子。（对）

8．二极管两端加上正向电压就一定会导通。（错）

9.半导体随温度的升高,电阻会增大。（错）

10.PN结正向偏置时电阻小，反正偏置时电阻大。（对）

11.硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。（错）

12.二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（错）

13.二极管一旦反向击穿就一定损坏。（错）

14.光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。（对）

15.发光二极管可以接受可见光线。（错）

16.发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。（错）

17.硅稳压二极管的稳压作用是利用其内部PN结的正向特性来实现的。（错）

18.硅稳压二极管工作在反向击穿状态，切断外加电压后，PN结仍处于反向击穿状态。（错）

19.硅稳压二极管可以串联使用，也可以并联使用。（错）

20.只要限制击穿电流，硅稳压管就可以长期工作在反向击穿区。（对）

21.P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错）

22.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（对）

23-.PN结正向偏置时，其表现的电阻为无穷大。（错）

24.无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错）

25.无论P型半导体还是N型半导体都是不带电的。（对）

26.二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错）

27.当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I㎝时，该管必被击穿。（错）

28.使用万用表无法判断一个二极管的好坏。（错）

29.三极管的集电极和发射极半导体类型相同，因此可以互换使用。（错）

30．晶体管三极管放大条件是（B）。

A．发射结要正向偏置B．发射结要正向偏置，集电结要反向偏置

C．集电结要反向偏置D．发射结要反向偏置，集电结要正向偏置

31．P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。

A．三价B．四价C．五价D．六价

32．PN结加正向电压时，其正向电流是（A）。

A．多子扩散而成B．少子扩散而成

C．少子漂移而成D．多子漂移而成

33.稳压二极管的正常工作状态是（C）。

A．导通状态B．截止状态C．反向击穿状态D．任意状态

34.．用万用表直流电压挡测得晶体管三个管脚的对地电压分别是V＝2V，V＝6V，V＝2.7V，

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由此可判断该晶体管的管型和三个管脚依次为（B）。

A．PNP管，CBEB．NPN管，ECBC．NPN管，CBED．PNP管，EBC

35．测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为V＝3V，V＝3.7V，V＝3.3V，

EBC

则该管工作在（B）。

A．放大区B．饱和区C．截止区D．击穿区

36．稳压管是利用其伏安的（B）区特性进行稳压的。

A．反向