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摘要
GaAs纳米线(NWs)与传统的半导体材料硅(Si)、锗(Ge)等相比，具有直接带隙
(1.42eV)、高光-电转化率和高电子迁移率等优点，是用于制备光电探测器、发光二
极管和激光器等电子器件的理想构筑单元。但GaAs纳米线较高的表面态密度将束缚
材料表面载流子的运输，进而导致制备出的器件性能低下。所以必须要通过别的手
段来改善纳米线表面态密度对整个器件带来的影响。将Au、Ag、Cu等纳米颗粒
(NPs)和GaAs纳米线结合不仅可以改善纳米线表面态密度；更重要的是，由
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