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模块五半导体器件及特性试卷（一）
一、单项选择题（共17小题，每小题4分，共68分）
1、在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体。
A、五价B、四价C、三价
2、在本征半导体中加入()元素可形成P型半导体。
A、五价B、四价C、三价
3、半导体内的载流子是（）。
A、空穴B、自由电子C、自由电子与空穴
4、半导体少数载流子产生的原因（）。
A、外电场B、掺杂C、热激发
5、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管()。
A、立即导通
B、到0、3V才开始导通
C、超过死区电压时才开始导通
6、把电动势为1、5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅
二极管的负极，则该管（）。
A、基本正常
B、将被击穿
C、将被烧坏
7、如图所示，二极管D为理想元件，U=5V，则电压U为（）。
SO
A、UB、U/2C、零
SS
8、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2、7V，则三个电
极分别是（）。
A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）
9、晶体管在大电流工作时，随I的增加β值将（）。
c
A、增加B、下降C、不变
10、稳压二极管是利用PN结的（）。
A、单向导电性B、反偏截止特性C、反向击穿特性
11、只用万用表判别晶体管3个电极，最先判别出的应（）。
A、e极B、b极C、c极
12、工作在放大状态的晶体管，发射结与集电结偏置状态应满足（）。
A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结与集电结均正
偏
13、晶体管处于截止状态时，发射结与集电结偏置状态应满足（）。
A、发射结与集电结均正偏B、发射结与集电结均反偏C、发射结反偏，集电结正偏
14、晶体管处于饱和状态时，发射结与集电结偏置状态应满足（）。
A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结与集电结均反偏C、发射结与集电结均正偏
15、晶体管的电流放大系数是指（）。
A、工作在饱和区时的电流放大倍数B、工作在放大区时的电流放大倍数C、工作在
截止区时的电流放大倍数
16、已知某晶体管的I为200uA，当基极电流为20uA时，集电极电流为1mA，则该
CEO
管的I为（）。
CBO
A、8mAB、10mAC、5uA
17、图中已经标出各硅晶体管电极的电位，处于截止状态的是（）。
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