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第三章?????光电检测中的常用器件3.1基本知识3.1.1半导体对光的吸收一、物质对光的吸收的一般规律光波入射到物质表面，通过路程dx后，光通量的变化量d?与入射的光通量?和路程dx的乘积成正比由电动力学的相关知识：消光系数：光波波长即：若消光系数是与光波波长无关的常数，则吸收系数?与波长成正比。当不考虑反射损失时，吸收的光通量为：二、半导体对光的吸收半导体的消光系数与光波波长无关。半导体对光的吸收可分为：本征吸收、杂质吸收、激子吸收、自由载流子吸收、晶格吸收1、能带理论（1）原子能级与晶体能带单个原子中的电子是按壳层分布的，只能具有某些分立的能量，这些分立值在能量坐标上称为能级。晶体中由于原子密集，离原子核较远的壳层常要发生彼此交叠，与此相对应的能级则扩展为能带。这时，价电子已不再属于那一个原子了，它可以在能带内自由运动，这种现象称为电子共有化。与价电子能级相对应的能带称为价带，价带以上能量最低的能带称为导带，导带底E0与价带顶Ec之间的能量间隔称为禁带Eg。其实，一切不允许电子存在的能量区域都可称为禁带，只是由于晶体的物理、化学性质的变化主耍与价电于有关，所以我们要着重讨论价带至导带这一范围内的问题。常态下价带基本为电子所填满，导带基本上是空的。对于不同的材料，禁带宽度不同，导带中电子的数目也不同，从而有不同的导电性。（2）本征半导体与杂质半导体结构完整、纯净的半导体称为本征半导体。例如纯净的硅称为本征硅。本征硅中，自由电子和空穴都是由于共价键破裂而产生的，所以电子浓度n等于空穴浓度p，并称之为本征载流子浓度ni，ni随温度升高而增加，随禁带宽度的增加而减小。半导体中不同的掺杂或缺陷都能在禁带中产生附加的能级，价带中的电子若先跃迁到这些能级上然后再跃迁到导带中去，要比电子直接从价带跃迁到导带容易得多。因此虽然只有少量杂质，却会明显地改变导带中的电子和价带中的空穴数目，从而显著地影响半导体的电导率。掺有施主杂质的硅称为N型硅，在N型硅中电于浓度nu远大于空穴浓度pu。这里，电子是多数载流子，空穴是少数载流子。掺有受主杂质的硅称为P型硅，在P型硅中，电子浓度np远小于空穴浓度pp，空穴为多数载流子，电子为少数载流子。P型半导体中空穴导电，空穴带正（Positive）电荷；

N型半导体中电子导电，电子带负（Negative）电荷；（3）本征吸收条件：结果：（4）杂质吸收3.2光电效应一、内光电效应特征：被光激发所产生的载流子仍在物质内部运动。1光电导效应光电导效应可分为本征光电导效应与杂质光电导效应两种。本征半导体或杂质半导体价带中的电子吸收光子能量跃入导带，产生本征吸收，导带中产生光生自由电子，价带中产生光生自由空穴。光生电子与空穴使半导体的电导率发生变化。这种在光的作用下由本征吸收引起的半导体电导率发生变化的现象称为本征光电导效应。条件：结果：光敏层单位时间吸收的量子数密度光敏层每秒产生的电子数密度在热平衡状态下，由于半导体的热电子产生率与热电子复合率相等所以，光敏层内电子总产生率：光敏层内导带中的电子与价带中的空穴的总复合率：由于：Kf：载流子复合几率热平衡下，由于载流子的产生率与复合率相等在非平衡状态下，载流子的时间变化率讨论结果：（1）在弱辐射作用下，半导体材料的光电导灵敏度条件：?nni；?ppi；本征吸收特点：?n=?p（2）在强辐射作用下，半导体材料的光电导灵敏度条件：?nni；?ppi；光电导驰豫过程光电导增益2光生伏特效应指在半导体PN结上的光电转换效应。（1）在PN结附近，形成自建场，自建场的方向由N区指向P区；（2）在光辐射的作用下，光生电子和光生空穴在自建场中漂移，形成光生伏特电压或光生电流