芯片IBIS模型地钳位曲线和电源钳位曲线重建的方法 .pdfVIP

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(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN101221587A

(43)申请公布日2008.07.16

(21)申请号CN200710036277.X

(22)申请日2007.01.09

(71)申请人上海杰得微电子有限公司

地址201203上海市浦东新区张江高科技园区碧波路572弄115号16号楼

(72)发明人欧阳合黄娟王阳王新成杨海潘杰王立伟徐晖

(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司

代理人顾继光

(51)Int.CI

G06F17/50

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

芯片IBIS模型地钳位曲线和电源钳

位曲线重建的方法

(57)摘要

本发明公开了一种芯片IBIS模型地

钳位曲线和电源钳位曲线重建的方法,用

简单电路模型重构IBIS的电流电压曲线,

适用于信号完整性分析和电路仿真技术领

域,根据电源钳位曲线和地钳位曲线所表

现的特点,选择合适的分立元件,主要是

二极管和电阻来搭建不同的等效电路,然

后对该等效电路进行仿真而获得IBIS模型

的准确的地钳位曲线和电源钳位曲线。这

种方法简单易行,可以使得工程师在未获

得精确的IBIS模型时可以进行准确的仿

真。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.-种芯片IBIS模型地钳位曲线重建的方法,包括地钳位曲线拟合,其特征是,构

建一个二极管串连电阻的等效电路,对该等效电路进行spice仿真获取其电流电压

曲线作为所述IBIS模型的新的地钳位曲线。

2.根据权利要求1所述的芯片IBIS模型地钳位曲线重建的方法,其特征是,所述

二极管门坎电压为原地钳位曲线拐点对应电压。

3.根据权利要求1所述的芯片IBIS模型地钳位曲线重建的方法,其特征是,所述

电阻TRg为原地钳位曲线中斜线段的斜率,按下式确定:

mathsmathmrowmiRg/mimo=/momfracmiDelta;Vg/mimi

Delta;Ig/mi/mfracmo=/momfracmrowmiVg/mimo-

/momiVtg/mi/mrowmrowmiIg/mimo-

/momiItg/mi/mrow/mfracmo,/mo/mrow/math/maths其中Vtg,

Itg为原地钳位曲线中拐点对应的电压电流值,Vg,Ig为原地钳位曲线中斜线段线

性部分的任一点电压。

4.一种芯片IBIS模型电源钳位曲线重建的方法,包括电源钳位曲线拟合,其特征

是,构建一个二极管串连电阻的等效电路,对该等效电路进行spice仿真获取其电

流电压曲线作为所述IBIS模型的新的电源钳位曲线。

5.根据权利要求4所述的芯片IBIS模型电源钳位曲线重建的方法,其特征是,所

述二极管门坎电压为原电源钳位曲线拐点对应电压。

6.根据权利要求4所述的芯片IBIS模型电源钳位曲线重建的方法,其特征是,所

述电阻Rp为原电源钳位曲线中斜线段的斜率,按下式确定:

mathsmathmrowmiRp/mimo=/momfracmiDelta;Vp/mimi

Delta;Ip/mi/mfracmo=/momfracmrowmiVp/mimo-

/momiVtp/mi/mrowmrowmiIp/mimo-

/momiItp/mi/mrow/mfracmo,/mo/mrow/math/maths其中Vtp,

Itp为原电源钳位曲线中拐点对应的电压电流值,Vp,Ip为原电源钳位曲线中斜线

段线性部分的任一点电压。

说明书

技术领域

本发明涉及一种印制板仿真方法,特别涉及一种IC芯片的IBIS模型仿真方法。

背景技术

在IC芯片应用与仿真技术中,IBIS模型是一种基于电流电压曲线(

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