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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN101221587A
(43)申请公布日2008.07.16
(21)申请号CN200710036277.X
(22)申请日2007.01.09
(71)申请人上海杰得微电子有限公司
地址201203上海市浦东新区张江高科技园区碧波路572弄115号16号楼
(72)发明人欧阳合黄娟王阳王新成杨海潘杰王立伟徐晖
(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司
代理人顾继光
(51)Int.CI
G06F17/50
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
芯片IBIS模型地钳位曲线和电源钳
位曲线重建的方法
(57)摘要
本发明公开了一种芯片IBIS模型地
钳位曲线和电源钳位曲线重建的方法,用
简单电路模型重构IBIS的电流电压曲线,
适用于信号完整性分析和电路仿真技术领
域,根据电源钳位曲线和地钳位曲线所表
现的特点,选择合适的分立元件,主要是
二极管和电阻来搭建不同的等效电路,然
后对该等效电路进行仿真而获得IBIS模型
的准确的地钳位曲线和电源钳位曲线。这
种方法简单易行,可以使得工程师在未获
得精确的IBIS模型时可以进行准确的仿
真。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.-种芯片IBIS模型地钳位曲线重建的方法,包括地钳位曲线拟合,其特征是,构
建一个二极管串连电阻的等效电路,对该等效电路进行spice仿真获取其电流电压
曲线作为所述IBIS模型的新的地钳位曲线。
2.根据权利要求1所述的芯片IBIS模型地钳位曲线重建的方法,其特征是,所述
二极管门坎电压为原地钳位曲线拐点对应电压。
3.根据权利要求1所述的芯片IBIS模型地钳位曲线重建的方法,其特征是,所述
电阻TRg为原地钳位曲线中斜线段的斜率,按下式确定:
mathsmathmrowmiRg/mimo=/momfracmiDelta;Vg/mimi
Delta;Ig/mi/mfracmo=/momfracmrowmiVg/mimo-
/momiVtg/mi/mrowmrowmiIg/mimo-
/momiItg/mi/mrow/mfracmo,/mo/mrow/math/maths其中Vtg,
Itg为原地钳位曲线中拐点对应的电压电流值,Vg,Ig为原地钳位曲线中斜线段线
性部分的任一点电压。
4.一种芯片IBIS模型电源钳位曲线重建的方法,包括电源钳位曲线拟合,其特征
是,构建一个二极管串连电阻的等效电路,对该等效电路进行spice仿真获取其电
流电压曲线作为所述IBIS模型的新的电源钳位曲线。
5.根据权利要求4所述的芯片IBIS模型电源钳位曲线重建的方法,其特征是,所
述二极管门坎电压为原电源钳位曲线拐点对应电压。
6.根据权利要求4所述的芯片IBIS模型电源钳位曲线重建的方法,其特征是,所
述电阻Rp为原电源钳位曲线中斜线段的斜率,按下式确定:
mathsmathmrowmiRp/mimo=/momfracmiDelta;Vp/mimi
Delta;Ip/mi/mfracmo=/momfracmrowmiVp/mimo-
/momiVtp/mi/mrowmrowmiIp/mimo-
/momiItp/mi/mrow/mfracmo,/mo/mrow/math/maths其中Vtp,
Itp为原电源钳位曲线中拐点对应的电压电流值,Vp,Ip为原电源钳位曲线中斜线
段线性部分的任一点电压。
说明书
技术领域
本发明涉及一种印制板仿真方法,特别涉及一种IC芯片的IBIS模型仿真方法。
背景技术
在IC芯片应用与仿真技术中,IBIS模型是一种基于电流电压曲线(
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