原创力文档- 1、本文档共9页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
CRSG022N10N4Z
华润微电子(重庆)有限公司SkyMOS4NMOSFET100V,1.8m,240A
FeaturesProductSummary
•UsesCRM(CQ)advancedSkyMOS4technologyVDS100V
•ExtremelylowonresistanceRDS(on)RDS(on)1.8m
•ExcellentgxRDS(on)product(FOM)ID240A
•QualifiedaccordingtoJEDECcriteria
Applications100%100%DVDSTestedDVDSTested
•Motorcontrolanddrive
100%100%AvalancheTestedAvalancheTested
•Batterymanagement
•UPS(UninterrupiblePowerSupplies)
CRSG022N10N4Z
PackageMarkingandOrderingInformation
Part#MarkingPackagePackingReelSizeTapeWidthQty
CRSG022N10N4ZSG022N10N4ZTO2636LTapeReelN/AN/A
AbsoluteMaximumRatings
ParameterSymbolValueUnit
DrainsourcevoltageVDS100V
Continuousdraincurrent
T=25°C(Siliconlimit)281
C
IDA
T=25°C(Packagelimit)240
C
T=100°C(Siliconlimit)198
C
Pulseddraincurrent(T=25°C,tlimitedbyT)I960
文档评论（0）