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GaN基二维半导体材料光电探测器及其特性分析.pdf

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    摘要

    近年来，采用二维半导体材料制备高性能光电器件成为研究的热门方向。以PtSe2

    为代表的二维半导体材料用作场效应管的沟道材料时，可以缩小器件的尺寸，引入更

    高的介电常数和更大的载流子迁移率从而大幅提升场效应管的光电性能。此外，红外

    波段的PtSe2和紫外波段的宽带隙半导体材料组合的异质结光电探测器可以形成性质

    互补，拓宽器件的光谱吸收范围，实现光电探测器应用性能的卓越提升。目前，虽然

    采用二维半导体材料制备的场效应管和光电探测器取得较多进展，但基于PtSe2和

    GaN的相关光电

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